如今，小型手持通信設備設計面臨的主要挑戰是，如何適應多種移動通信模式和頻帶的并存以及適用于小型手持設備的無線應用程序。

英飛凌的射頻前端器件產品組合：
高性能LNA-MMIC
射頻雙極和MOSFET晶體管
CMOS開關
射頻二極管
 
無需降低數據速率和靈敏度性能，即可實現高功率密度射頻設計。

以下是部分Infineon英飛凌公司產品，更多英飛凌產品咨詢請聯系南皇電子：
BTN7930B  雙極性,驅動器 - 全集成，控制和功率級
BTN7933B  導通電阻10 毫歐，18 毫歐,輸入類型非反相
BTN7960B  雙極性,驅動器 - 全集成，控制和功率級
BTN7963B  導通電阻7 毫歐，9 毫歐,輸入類型非反相
BTN7970B  雙極性,驅動器 - 全集成，控制和功率級
BTN7971B  雙極性,驅動器 - 全集成，控制和功率級
BTN7973B  導通電阻7 毫歐，9 毫歐,輸入類型非反相
BTS640S2-G  導通電阻27 毫歐,輸入類型非反相
IPB009N03L G  MOSFET N 通道,30V
IPB010N06N  MOSFET N 通道,60V
IPB011N04L G  MOSFET N 通道,40V
IPB011N04N G  MOSFET N 通道,40V
IPB014N06N  MOSFET N 通道,60V
IPB016N06L3 G  MOSFET N 通道,60V
IPB017N06N3 G  MOSFET N 通道,60V
IPB019N08N3 G  MOSFET N 通道,80V
IPB020N04N G  MOSFET N 通道,40V
IPB023N06N3 G  MOSFET N 通道,60V