浪涌防護(hù)器中的常用器件

　　目前在浪涌防護(hù)器中常用的器件主要包括：

1．金屬氧化物壓敏電阻（MOV）

　　金屬氧化物壓敏電阻是非線性的電子元件，允許大電流通過(guò)維持接線端（指定端）很低的殘余電壓。當(dāng)金屬氧化物壓敏電阻遇到瞬時(shí)超過(guò)它的啟動(dòng)電壓時(shí)，他立即由電阻抗變?yōu)榈妥杩梗�讓瞬間巨大的浪涌瀉放到大地，是危險(xiǎn)的高電壓遠(yuǎn)離敏感的電子設(shè)備。典型的有氧化鋅（ZnO）浪涌吸收器，它是一種以ZnO材料為主，添加多種過(guò)渡性金屬氧化物經(jīng)高溫?zé)�成處理而成的多晶半�?dǎo)體陶瓷元件。由于電微觀結(jié)構(gòu)的隧道效應(yīng)，使它具有與齊納二極管相似的非線性電壓一電流特性曲線。另外，該元件的承受脈沖能量幾乎是齊納二極管的幾十或幾百倍。至今，這種元件已廣泛地應(yīng)用于電源設(shè)備或其他低頻電路防雷擊和吸引開(kāi)關(guān)電涌。

2．濾波電容器

　　濾波電容器能夠消除脈沖危害，并可以過(guò)濾高頻噪音。當(dāng)幅度為幾十伏到幾百伏的高脈沖進(jìn)入電涌時(shí)，若沒(méi)經(jīng)過(guò)處理，這些脈沖會(huì)導(dǎo)致電子系統(tǒng)混亂和元件劣變。瞬間浪涌可以經(jīng)金屬氧化物壓敏電阻與硅雪崩二極管的反應(yīng)快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩(wěn)鉗位電壓。同時(shí)由濾波電容器消除高頻噪音。

3．混合型器件

　　混合型器件兼容了金屬氧化物壓敏電阻的大過(guò)流容量特性，提高浪涌電流導(dǎo)通能力，又具有硅雪二極管的反應(yīng)快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩(wěn)鉗位電壓。同時(shí)由濾波器消除高頻噪音。

4．NTC熱敏電阻器

　　抑制浪涌電流用負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻能有效地將開(kāi)機(jī)瞬間的浪涌電流抑制在十分之一以?xún)?nèi)，而不影響儀器的正常工作，并且在正常工作時(shí)其阻值很小，從而所耗散的功率也很少。這類(lèi)元件已廣泛用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)電源中。

5．瞬變電壓抑制器（TVS）

　　瞬變電壓抑制器（TVS）是一種特殊的硅二極管雪崩器件，故也稱(chēng)為閉變電壓抑制二極管，其工作原理與齊納二極管相似。特性及符號(hào)與齊納二極管相同，但與一般的齊納二極管不同的是對(duì)TVS器件有大面積的PN結(jié)，具有承受瞬間大電流的能力，另外它的反向特位為典型的雪崩型，在雪崩時(shí)有低動(dòng)態(tài)阻抗及低竿位電壓，只要將TVS并接受要保護(hù)的電路上，當(dāng)有瞬態(tài)電壓發(fā)生時(shí)，TVS將快速響應(yīng)（擊穿），以耗散大的浪涌電流，電路被塔位于低電壓，使電路得以保護(hù)。

6．CSSPD

　　CSSPD即控制維持電流型硅防護(hù)浪涌器件（Current type Silicon Protective Device），它由日本新電元工業(yè)公司于1988年研制成功。該器件雙向兩端器件，有pnpnp五層組成，它是單芯片上逆向并聯(lián)組成的復(fù)合器件。