91精品欧美综合在线观看,久久婷婷五月综合97色 ,久久婷婷五月综合97色

資訊類(lèi)型：	行業(yè)要聞企業(yè)動(dòng)態(tài) 新品速遞解決方案交流培訓(xùn) 嘉賓訪談產(chǎn)業(yè)縱橫
	人物聚焦展會(huì)動(dòng)態(tài) 會(huì)展報(bào)告本站動(dòng)態(tài)
標(biāo) 題：	*
頁(yè)面廣告：
副標(biāo) 題：
關(guān) 鍵字：	多個(gè)關(guān)鍵字請(qǐng)用“/”分隔，如：西門(mén)子/重大新聞
內(nèi)容描述：
新聞來(lái)源：
鏈接：
責(zé)任編輯：
標(biāo)題圖片：	當(dāng)編輯區(qū)有插入圖片時(shí)，將自動(dòng)填充此下拉框
* 所屬類(lèi)別： (不超過(guò)20項(xiàng))	電源產(chǎn)品分類(lèi)： UPS電源穩(wěn)壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發(fā)電機(jī)組開(kāi)關(guān)電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應(yīng)用分類(lèi)：通信電源電力電源車(chē)載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫(yī)療電源家電電源便攜式電源充電機(jī)(器) 勵(lì)磁電源電源配套分類(lèi)：功率器件防雷浪涌測(cè)試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測(cè) 變壓器傳感器軸流風(fēng)機(jī) 電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類(lèi)：太陽(yáng)能(光伏發(fā)電) 風(fēng)能發(fā)電潮汐發(fā)電水利發(fā)電燃料電池其他類(lèi)：其他
靜態(tài)頁(yè)面：	生成靜態(tài)頁(yè)面
* 內(nèi) 容：	<P>    也許便攜式電源設(shè)計(jì)工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每?jī)赡攴槐丁Ｊ聦?shí)上，當(dāng)今的便攜式內(nèi)核電源要求電流達(dá)到 40A，電壓在0.9V至1.75V之間。但一方面電流要求持續(xù)增加，提供電源的可用空間卻沒(méi)有加大，這一實(shí)事將熱設(shè)計(jì)推到難以超越的極限。</P> <P><BR>    如此高的電流電源通常會(huì)分為兩個(gè)或更多部分，每一部分提供15A至25A電流。這種方案消除了元件甄選的任務(wù)。例如，40A電源本質(zhì)上可以分成兩個(gè)20A電源。但由于該解決方案并不增加額外的板空間，它無(wú)法解決熱設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。</P> <P>    用于高電流電源最難選擇的元件是MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，對(duì)于筆記本計(jì)算機(jī)尤為如此，在這種環(huán)境下，通常要為CPU自身保留散熱器、風(fēng)扇、散熱管和其他散熱器件。這樣，電源經(jīng)常需要與狹窄的空間、不流動(dòng)的空氣和附近元件耗散的熱量對(duì)抗。還有，除了安裝在電源下面小小的PCB銅片，沒(méi)有什么可以幫助電源散熱。</P> <P>    MOSFET的甄選從選擇能夠應(yīng)付所要求的電流、提供足夠的散熱通道開(kāi)始，在確定了要求的散熱量并確保了散熱途徑后結(jié)束。本文介紹了計(jì)算MOSFET功率耗散和確定其工作溫度的步驟說(shuō)明。隨后，以通過(guò)多相位、同步矯正、降壓CPU內(nèi)核20A電源設(shè)計(jì)為例，對(duì)每個(gè)計(jì)算步驟進(jìn)行了說(shuō)明。</P> <P><STRONG>計(jì)算功率耗散</STRONG></P> <P>    要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括阻抗耗散和開(kāi)關(guān)耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING</P> <P>    由于MOSFET的功率耗散很大程度上取決于其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，計(jì)算RDS(ON)看似是一個(gè)很好的著手之處。但MOSFET的導(dǎo)通電阻取決于結(jié)溫TJ。返過(guò)來(lái)，TJ又取決于MOSFET中的功率放大器耗散和MOSFET的熱阻(ΘJA)。這樣，很難確定空間從何處著手。由于在功率耗散計(jì)算中的幾個(gè)條件相互依賴(lài)，確定其數(shù)值時(shí)需要迭代過(guò)程(圖1)。</P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2007/200708/20070828152444590.jpg" border=0></P> <P>    這一過(guò)程從首先假設(shè)各MOSFET的結(jié)溫開(kāi)始，同樣的過(guò)程對(duì)于每個(gè)MOSFET單獨(dú)進(jìn)行。MOSFET的功率耗散和允許的環(huán)境溫度都要計(jì)算。</P> <P>    當(dāng)允許的周?chē)鷾囟冗_(dá)到或略高于電源封裝內(nèi)和其供電的電路所期望的最高溫度時(shí)結(jié)束。使計(jì)算的環(huán)境溫度盡可能高看似很誘人，但這通常不是一個(gè)好主意。這樣做將需要更昂貴的MOSFET、在MOSFET下面更多地使用銅片，或者通過(guò)更大或更快的風(fēng)扇使空氣流動(dòng)。所有這些都沒(méi)有任何保證。</P> <P>    在某種意義上，這一方案蒙受了一些“回退”。畢竟，環(huán)境溫度決定MOSFET的結(jié)溫，而不是其他途徑。但從假設(shè)結(jié)溫開(kāi)始所需要的計(jì)算，比從假設(shè)環(huán)境溫度開(kāi)始更易于實(shí)現(xiàn)。</P> <P>    對(duì)于開(kāi)關(guān)MOSFET和同步整流器兩者，都是選擇作為此迭代過(guò)程開(kāi)始點(diǎn)的最大允許裸片結(jié)溫(TJ(HOT))。大多數(shù)MOSFET數(shù)據(jù)參數(shù)頁(yè)只給出25°C的最大RDS(ON)，，但近來(lái)有一些也提供了125°C的最大值。MOSFETRDS(ON)隨著溫度而提高，通常溫度系數(shù)在0.35%/°C至0.5%/°C的范圍內(nèi)(圖2)。如果對(duì)此有所懷疑，可以采用更悲觀的溫度系數(shù)和MOSFET在25°C規(guī)格參數(shù)(或125°C的規(guī)格參數(shù)，如果有提供的話(huà))計(jì)算所選擇的TJ(HOT)處的最大RDS(ON)：RDS(ON) HOT =RDS(ON) SPEC ×[1+0.005×(TJ(HOT)?TSPEC)]</P> <P>    其中，RDS(ON)SPEC為用于計(jì)算的MOSFET導(dǎo)通電阻，而TSPEC為得到RDS(ON)SPEC的溫度。如下描述，用計(jì)算得到的RDS(ON) HOT確定MOSFET和同步整流器的功率耗散。討論計(jì)算各MOSFET在假定裸片溫度的功率耗散的段落之后，是對(duì)完成此迭代過(guò)程所需其他步驟的描述。</P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2007/200708/20070828152511707.jpg" border=0></P> <P align=left><BR><STRONG>同步整流器的耗散</STRONG></P> <P align=left>    對(duì)于除最大負(fù)載外的所有負(fù)載，在開(kāi)、關(guān)過(guò)程中，同步整流器的MOSFET的漏源電壓通過(guò)捕獲二極管箝制。因此，同步整流器沒(méi)有引致開(kāi)關(guān)損耗，使其功率耗散易于計(jì)算。需要考慮只是電阻耗散。</P> <P>    最壞情況下?lián)p耗發(fā)生在同步整流器負(fù)載系數(shù)最大的情況下，即在輸入電壓為最大值時(shí)。通過(guò)使用同步整流器的RDS(ON) HOT和負(fù)載系數(shù)以及歐姆定律，就可以計(jì)算出功率耗散的近似值：PDSYNCHRONOUS RECTIFIER=[ILOAD2×RDS(ON) HOT ]×[1>-(VOUT/VIN(MAX))]</P> <P><STRONG>開(kāi)關(guān)MOSFET的耗散</STRONG></P> <P>    開(kāi)關(guān)MOSFET電阻損耗的計(jì)算與同步整流器的計(jì)算相仿，采用其(不同的)負(fù)載系數(shù)和RDS(ON) HOT ：PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON) HOT]×(VOUT/VIN)</P> <P>     由于它依賴(lài)于許多難以定量且通常不在規(guī)格參數(shù)范圍、對(duì)開(kāi)關(guān)產(chǎn)生影響的因素，開(kāi)關(guān)MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算較為困難。在下面的公式中采用粗略的近似值作為評(píng)估一個(gè)MOSFET的第一步，并在以后在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)對(duì)其性能進(jìn)行驗(yàn)證：PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE</P> <P>    其中CRSS為MOSFET的反向轉(zhuǎn)換電容(一個(gè)性能參數(shù))，fSW為開(kāi)關(guān)頻率，而IGATE為MOSFET的啟動(dòng)閾值處(柵極充電曲線(xiàn)平直部分的VGS)的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的吸收電流和的源極電流。</P> <P>    一旦根據(jù)成本(MOSFET的成本是它所屬于那一代產(chǎn)品的非常重要的功能)將選擇范圍縮小到特定的某一代MOSFET，那一代產(chǎn)品中功率耗散最小的就是具有相等電阻損耗和開(kāi)關(guān)損耗的型號(hào)。若采用更小(更快)的器件，則電阻損耗的增加幅度大于開(kāi)關(guān)損耗的減小幅度；而采用更大(RDS(ON)低)的器件中，則開(kāi)關(guān)損耗的增加幅度大于電阻損耗的減小幅度。</P> <P>    如果VIN是變化的，必須同時(shí)計(jì)算在VIN(MAX)和VIN(MIN)處的開(kāi)關(guān)MOSFET的功率耗散。MOSFET最壞情況下功率耗散將出現(xiàn)在最小或最大輸入電壓處。耗散為兩個(gè)函數(shù)的和：在VIN(MIN) (較高的負(fù)載系數(shù))處達(dá)到最大的電阻耗散，和在VIN(MAX)(由于VIN2的影響)處達(dá)到最大的開(kāi)關(guān)耗散。最理想的選擇略等于在VIN極值的耗散，它平衡了VIN范圍內(nèi)的電阻耗散和開(kāi)關(guān)耗散。</P> <P>    如果在VIN(MIN)處的耗散明顯較高，電阻損耗為主。在這種情況下，可以考慮采用較大的開(kāi)關(guān)MOSFET，或并聯(lián)多個(gè)以達(dá)到較低的RDS(ON)值。但如果在VIN(MAX)處的耗散明顯較高，則可以考慮減小開(kāi)關(guān)MOSFET的尺寸(如果采用多個(gè)器件，或者可以去掉MOSFET)以使其可以更快地開(kāi)關(guān)。</P> <P>    如果所述電阻和開(kāi)關(guān)損耗平衡但還是太高，有幾個(gè)處理方式：</P> <P>    改變題目設(shè)定。例如，重新設(shè)定輸入電壓范圍；改變開(kāi)關(guān)頻率，可以降低開(kāi)關(guān)損耗，且可能使更大、更低的RDS(ON)值的開(kāi)關(guān)MOSFET成為可能；增大柵極驅(qū)動(dòng)電流，降低開(kāi)關(guān)損耗。MOSFET自身最終限制了柵極驅(qū)動(dòng)電流的內(nèi)部柵極電阻，實(shí)際上局限了這一方案；采用可以更快同時(shí)開(kāi)關(guān)并具有更低RDS(ON)值和更低的柵極電阻的改進(jìn)的MOSFET技術(shù)。</P> <P>    由于元器件選擇數(shù)量范圍所限，超出某一特定點(diǎn)對(duì)MOSFET尺寸進(jìn)行精確調(diào)整也許不太可能，其底線(xiàn)在于MOSFET在最壞情況下的功率必須得以耗散。</P> <P><STRONG>熱阻</STRONG></P> <P>    再參考圖1說(shuō)明，確定是否正確選擇了用于同步整流器和開(kāi)關(guān)MOSFET的MOSFET迭代過(guò)程的下一個(gè)步驟。這一步驟計(jì)算每個(gè)MOSFET的環(huán)境空氣溫度，它可能導(dǎo)致達(dá)到假設(shè)的MOSFET結(jié)溫。為此，首先要確定每個(gè)MOSFET的結(jié)與環(huán)境間的熱阻(ΘJA)。</P> <P>    如果多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用，可以通過(guò)與計(jì)算兩個(gè)或更多關(guān)聯(lián)電阻的等效電阻相同的方法，計(jì)算其組合熱阻。熱阻也許難以估計(jì)，但測(cè)量在一簡(jiǎn)單PC板上的單一器件的ΘJA就相當(dāng)容易，系統(tǒng)內(nèi)實(shí)際電源的熱性能難以預(yù)計(jì)，許多熱源在競(jìng)爭(zhēng)有限的散熱通道。</P> <P>    讓我們從MOSFET的ΘJA開(kāi)始。對(duì)于單芯片SO-8 MOSFET封裝，ΘJA通常在62°C/W附近。對(duì)于其他封裝，帶有散熱柵格或暴露的散熱條，ΘJA可能在40°C/W和50°C/W之間(參見(jiàn)表)。計(jì)算多高的環(huán)境溫度將引起裸片達(dá)到假設(shè)的TJ(HOT)：TAMBIENT=TJ(HOT)-TJ(RISE)</P> <P>   如果計(jì)算的TAMBIENT比封裝最大標(biāo)稱(chēng)環(huán)境溫度低(意味著封裝的最大標(biāo)稱(chēng)環(huán)境溫度將導(dǎo)致超過(guò)假設(shè)的MOSFETTJ(HOT))，就要采取以下一種或所有措施：</P> <P>    提高假設(shè)的TJ(HOT)(HOT，但不要超過(guò)數(shù)據(jù)參數(shù)頁(yè)給出的最大值；通過(guò)選擇更合適的MOSFET，降低MOSFET功率耗散；或者，通過(guò)加大空氣流動(dòng)或MOSFET周?chē)你~散熱片面積降低ΘJA。</P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2007/200708/20070828152549549.jpg" border=0></P> <P>    然后重新計(jì)算。采用電子數(shù)據(jù)表以簡(jiǎn)化確定可接受的設(shè)計(jì)所要求的典型的多重迭代。</P> <P>     另一方面，如果計(jì)算的比封裝最大標(biāo)稱(chēng)環(huán)境溫度高得多，就要采取以下一種或所有措施：</P> <P>    降低假設(shè)的TJ(HOT)；減少用于MOSFET功率耗散的銅散熱片面積；或者，采用不那么昂貴的MOSFET。</P> <P>    這些步驟是可選的，因?yàn)楸景咐蠱OSFET不會(huì)由于超過(guò)設(shè)定溫度而損壞。然而，在TAMBIENT比封裝的最大溫度高時(shí)，這些步驟可以減小板面積和成本。</P> <P>    該過(guò)程中最大的不準(zhǔn)確性來(lái)源于ΘJA。仔細(xì)研讀ΘJA規(guī)格參數(shù)相關(guān)的數(shù)據(jù)頁(yè)說(shuō)明。典型的規(guī)格說(shuō)明假設(shè)器件安裝于1平方英寸的2盎司銅片。銅片承擔(dān)了大部分的散熱，而銅片的大小對(duì)ΘJA有顯著影響。</P> <P>    例如，采用1平方英寸的銅片，D-Pak的ΘJAD-Pak可能是50°C/W。但如果銅片就設(shè)在封裝引腳下，ΘJA值將會(huì)加倍(參見(jiàn)表)。采用多個(gè)并聯(lián)MOSFET，ΘJA主要依賴(lài)于它所安裝的銅片面積。兩個(gè)元器件的等效ΘJA可能是只有一個(gè)元器件時(shí)的一半，除非銅片的面積加倍。就是說(shuō)，增加并聯(lián)MOSFET而不同時(shí)增加銅片面積，將使RDS(ON)減半，但對(duì)ΘJA的改變小得多。 </P> <P>    最后，ΘJA的規(guī)格參數(shù)假設(shè)銅片散熱面積不需考慮其他元器件的散熱。在高電流時(shí)，在功率路徑上的每個(gè)元件，甚至是PC板上的銅材料都會(huì)產(chǎn)生熱量。為避免對(duì)的MOSFET過(guò)度加熱，需要仔細(xì)計(jì)估算實(shí)際物理環(huán)境能達(dá)到的ΘJA值；研究所選擇的MOSFET提供的熱參數(shù)信息；檢查是否有空間用于增加額外的銅片、散熱器和其他器件；確定增加空氣流動(dòng)是否可行；看看在假設(shè)的散熱通道有沒(méi)有其他明顯的熱源，并要估算一下附近元件和空間的加熱或冷卻作用。</P> <P><STRONG>設(shè)計(jì)實(shí)例</STRONG></P> <P>    圖3所示CPU內(nèi)核電源在40A提供1.3V。兩個(gè)同樣的20A電源在300kHz運(yùn)行，提供40A輸出電源。MAX1718主控制器驅(qū)動(dòng)一個(gè)，而MAX1897從控制器驅(qū)動(dòng)另一個(gè)。該電源輸入范圍在8～20V之間，指定封裝的最高工組作環(huán)境溫度60°C。</P> <P>    同步整流器包括兩個(gè)并聯(lián)的IRF7822MOSFET，在室溫條件下組合的最大RDS(ON)為3.25mΩ，而假設(shè)TJ(HOT)為115°C時(shí)約為4.7mΩ。最大負(fù)載系數(shù)94%，20A負(fù)載電流和4.7mΩ最大RDS(ON)，并聯(lián)MOSFET的耗散約為1.8W。提供2平方英寸的銅片以進(jìn)行散熱，總ΘJA約為31°C/W。組合MOSFET的溫度上升約為55°C，所以此設(shè)計(jì)將在60°左右的環(huán)境溫度工作。</P> <P>    在室溫下組合的最大RDS(ON)為6mΩ，在115°C(假設(shè)的TJ(HOT))為8.7mΩ的兩個(gè)并聯(lián)IRF7811WMOSFET組成開(kāi)關(guān)MOSFET。組合CRSS為240pF。MAX1718以及MAX1897的1Ω柵極驅(qū)動(dòng)輸出約為2A.。當(dāng)VIN=8V時(shí)，電阻損耗為0.57W，而開(kāi)關(guān)損耗約為0.05W。在20V時(shí)，電阻損耗為0.23W，而開(kāi)關(guān)損耗約為0.29W。在每個(gè)操作點(diǎn)的總損耗大體平衡，而在最小VIN處的最壞情況下，等于0.61W。</P> <P>    由于功率耗散水平不高，我們可以在這對(duì)MOSFET下面提供了0.5平方英寸的銅片，達(dá)到約55°C/W的總ΘJA。這樣以35°C的升溫，可以支持達(dá)80°C的環(huán)境溫度。</P> <P>    本實(shí)例的銅散熱片僅要求對(duì)MOSFET提供。如果有其它器件散熱，也許要求銅散熱片面積更大。如果空間不允許增加額外的銅散熱片，可以減小總功率耗散，將熱量擴(kuò)散到散熱量較低的地方，或采用其他方法散熱。</P> <P>    熱能管理是大功率便攜設(shè)計(jì)中最困難的方面之一，它使上述的迭代過(guò)程成為必需。雖然這一過(guò)程使板設(shè)計(jì)者已經(jīng)接近于最終設(shè)計(jì)，但還是必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)室工作最終確定設(shè)計(jì)過(guò)程是否準(zhǔn)確。在實(shí)驗(yàn)室中計(jì)算MOSFET的熱能特性、確何其散熱通道并檢查計(jì)算結(jié)果，有助于確保可靠的熱設(shè)計(jì)。</P> <P align=center><EM><IMG src="/uploadfile/newspic/2007/200708/20070828152407432.jpg" border=0></EM></P> <P align=right><EM>作者：MikeKeagy</EM></P>

主站蜘蛛池模板：色欲香天天天综合网站| 亚洲成a人v欧美综合天堂| 欧美精品国产综合久久| 国产成+人欧美+综合在线观看 | 一本一道久久精品综合| 97se色综合一区二区二区| 亚洲色图综合在线| 97久久综合精品久久久综合| 久久99亚洲综合精品首页| 久久综合亚洲鲁鲁五月天| 中文字幕亚洲综合小综合在线| 久久婷婷五月综合97色| 狠狠色丁香婷婷综合精品视频| 伊人色综合久久天天人手人婷 | 久久99亚洲综合精品首页| 亚洲综合五月天| 亚洲另类欧美综合久久图片区| 女人和拘做受全程看视频日本综合a一区二区视频 | 97久久综合精品久久久综合| 俺来也俺去啦久久综合网| 日韩欧国产精品一区综合无码| 97SE亚洲国产综合自在线观看 | 久久久久噜噜噜亚洲熟女综合 | 色婷婷综合在线| 国产综合色香蕉精品五月婷| 狠狠综合久久综合中文88| 色综合久久夜色精品国产| 日韩欧美亚洲综合久久影院d3| 久久久久亚洲av综合波多野结衣| 精品久久人人做人人爽综合| 青青青国产色视频在线观看国产亚洲欧洲国产综合 | 伊人久久综合成人网| 久久综合给合久久狠狠狠97色 | 亚洲国产综合欧美在线不卡| 久久综合亚洲色HEZYO社区| 国产综合无码一区二区三区| 色久综合网精品一区二区| 狠狠色综合网站久久久久久久高清| 日韩无码系列综合区| 日韩亚洲人成在线综合日本| 亚洲av伊人久久综合密臀性色|

<strike id="igagw"></strike>