亚洲色婷婷综合开心网,色综合久久天天综合,久久综合综合久久狠狠狠97色88

您的位置：首頁>>管理中心>>行業資訊>>修改新聞資訊信息

資訊類型：	行業要聞企業動態新品速遞解決方案交流培訓嘉賓訪談產業縱橫
	人物聚焦展會動態會展報告本站動態
標題：	*
頁面廣告：
副標題：
關鍵字：	多個關鍵字請用“/”分隔，如：西門子/重大新聞
內容描述：
新聞來源：
鏈接：
責任編輯：
標題圖片：	當編輯區有插入圖片時，將自動填充此下拉框
* 所屬類別： (不超過20項)	電源產品分類： UPS電源穩壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發電機組開關電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫療電源家電電源便攜式電源充電機(器) 勵磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測變壓器傳感器軸流風機電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發電) 風能發電潮汐發電水利發電燃料電池其他類：其他
靜態頁面：	生成靜態頁面
* 內容：	<P> <IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200902/20090209093954416.jpg" align=left border=0>   如圖所示，它是在p型的MOS兩邊形成兩個n+區，因此連同MOS的兩個端點，MOSFET總共有四個端點。氧化層上的金屬接點稱閘極（Gate），而兩個n+區分別是源極（Source）和汲極（Drain）。</P> <P>    至于它是如何工作的呢？其特性為何呢？以下就分別來討論它。</P> <P><STRONG>A.增強式MOSFET</STRONG></P> <P>    我們以基體為P型的MOSFET結構來說明，將基體、源極、汲極都接地，當閘極開始接正電壓，在靠近閘極氧化層的半導體表面會感應負電荷，正電壓越大，負電荷累積越多，因此在兩個n+區之間形成了表面反轉層，也就是通道。因為信道的形成，電子大量通過形成電流，所以源極和汲極間要有電流產生，完全是靠閘極加正電壓幫忙，因此這種形態的組件就稱為增強式金氧半場效晶體管。</P> <P>    接著我們來考慮汲極接正電壓的情形，若是閘極加正電壓始的半導體表面形成反轉層，但是由于汲極也加一個正電壓，使得落再閘極與汲極間的電壓比落在閘極與源極間的電壓小，因此反轉層的電子不再均勻的分布，在靠近汲極的地方電子數目會較少，或是說通道在汲極附近會變窄。當汲極電壓很小時，信道變化不是很大，因此通道整個電性就像電阻：汲極電壓和電流呈正比關系，所以這區域又稱線性區。</P> <P>    若是序繼續增加汲極電壓，則I和V之間的關系不再是線性：當V增加到汲極附近通道寬度為零時，即所謂的夾止點。要是V繼續增加，這時夾止點會往源極移動，也就是靠近汲極的區域不會有反轉層。此時因為靠近汲極附近沒有反轉層，所以它的阻值較高，因此所施加的電壓大部份會落在這個區域；當電子從源極出發到達夾止點時，會受到這區域的電場作用掃到射汲極；也就是說，當夾止點出現后，若是V再增加便會使通道變短。而增加的V主要在幫助到達夾止點的電子通過信道和汲極間的空隙到達汲極，因此I不會隨著V的增加而增加，我們稱晶體管進入飽和區。</P> <P><STRONG>    B.空乏式MOSFET</STRONG></P> <P>    若是在n+通道場效晶體管的源極和汲極之間先形成一條很窄的n-信道，這種結構的晶體管就稱為空乏式MOSFET。空乏式MOSFET晶體管的Id和Vds的特性曲線圖，很明顯的當Vgs=0時，Id并不為零，當Vgs=-4V時d才等于零，也就是起始電壓為-4V。Id當Vds很小時也是呈線性關系，隨著Vds增加，Id進入飽和狀態,詳細工作原理和增強式晶體管雷同，這里不再重復。</P>

<li id="scmii"></li>