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* 所屬類別： (不超過20項)	電源產品分類： UPS電源穩壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發電機組開關電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫療電源家電電源便攜式電源充電機(器) 勵磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測變壓器傳感器軸流風機電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發電) 風能發電潮汐發電水利發電燃料電池其他類：其他
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* 內容：	<P>    三菱電機致力推動環保，將攜同一系列新型的HVIGBT模塊、第4代DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊），及L1系列智能功率模塊、和第6代IGBT模塊等功率器件，在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，向參觀者推介各種應用解決方案。</P> <P>    HVIGBT模塊已經在大功率領域得到廣泛應用，比如：軌道牽引和大功率工業驅動。這些大功率應用需要具有優良性能的HVIGBT模塊，尤其要求損耗低、額定電流大以及運行結溫范圍大的特性。</P> <P>    三菱電機1700V N系列HVIGBT模塊采用載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，獲得更好的飽和壓降（VCE(sat)）與關斷損耗（Eoff）的折衷關系，有效降低了模塊的功率損耗。</P> <P>    3300V R系列HVIGBT模塊采用FP-LPT-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不犧牲模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關斷損耗折衷特性得到了25%的改善。</P> <P>    6500V HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。</P> <P>    三菱電機機電（上海）有限公司董事總經理森敏先生說：“在經過金融危機后，中國已成為全球最具潛力的市場，三菱電機這次展示最新研制的產品，在節約能源和生態持續發展方面向前跨進一步，協助構建綠色和諧社會。”</P> <P>    在節能方面，三菱電機的DIPIPMTM是控制壓縮機電流、空調變頻器節能的關鍵元件。模塊集成了功率器件及其驅動保護芯片，從而大大減少電力損耗達到節能效果。</P> <P>    第4代DIPIPMTM有超小型、小型和大型三種大小的封裝。超小型3A/600V產品是世界上首次將RC-IGBT搭載于變頻用途的IPM，其模塊內部的硅片數量減少了一半，加之散熱優化的封裝結構使得DIPIPMTM的可靠性更高且功率密度更大。大型封裝的DIPIPMTM額定值可達75A/600V和35A/1200V，采用了全柵型CSTBTTM硅片、優化的驅動IC以及導熱性能優異的絕緣薄膜。不僅能用于柜式變頻空調，還可滿足工業變頻應用，它必將為變頻系統的進一步小型化做出卓越的貢獻。</P> <P>    三菱電機應用于家電市場的產品還有DIPPFCTM和DIPPSCTM。DIPPFCTM是完全開關型功率因數校正雙列直插智能模塊，它的內部集成了二極管整流橋和有源PFC電路，硅片的功率損耗低，封裝小型化且熱阻低。DIPPSCTM是部分開關型功率因數校正雙列直插智能模塊，它內置功率因數校正電路及三相逆變電路，內建自舉電路且可動態監視模塊內部溫度。DIPPFCTM和DIPPSCTM均能有效改善家用電器對供電電網的諧波污染。</P> <P>    DIPIPMTM是變頻家電功率轉換部分的核心，變頻家電以其節能、環保的優點近年來逐步受到市場的親睞。例如：變頻空調比定速空調節電20-30%；變頻冰箱比常規冰箱節電50%左右；變頻洗衣機比常規洗衣機節電50%左右，在節水方面，變頻洗衣機比常規洗衣機節水30-50%左右。</P> <P>    三菱電機早在10年前已向日本電動汽車行業提供功率半導體。現在，三菱電機的智能功率模塊(IPM)具有體積小、開關速度快、功耗低、抗干擾能力強、無須防靜電措施等優點，大大縮短了客戶項目開發周期。</P> <P>    第5代L1系列智能功率模塊，將硅片溫度傳感器設置在IGBT硅片正中央處，實現了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優化的VCE(sat)與Eoff折衷曲線。</P> <P>    最新開發的第6代IGBT模塊，采用優化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片，進一步降低模塊的開關和通態損耗。模塊內的續流二極管硅片，由于采用薄晶片工藝和擴散技術，這種硅片優化了緩沖層雜質分布和本征層、緩沖層厚度，減小了反向恢復的拖尾電流，并且獲得更好的VF和Qrr的折衷關系。</P> <P>    實驗證明新型硅片具有足夠寬SCSOA和至少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片，運行結溫最高可達175°C。該IGBT模塊產品豐富，有1200V和1700V兩個電壓等級，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、二單元和一單元模塊。全系列產品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。■</P>