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* 所屬類別： (不超過20項)	電源產品分類： UPS電源穩壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發電機組開關電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫療電源家電電源便攜式電源充電機(器) 勵磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測變壓器傳感器軸流風機電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發電) 風能發電潮汐發電水利發電燃料電池其他類：其他
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* 內容：	<P>　　【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）和松下公司簽署協議，共同開發和生產第二代（Gen2）成熟的氮化鎵（GaN）技術，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力相結合，標志著英飛凌對氮化鎵功率半導體日益增長的需求的戰略拓展。根據市場需求，Gen2將被開發為650V GaN HEMT。這些器件將易于使用，并提供更高的性價比，主要針對高功率和低功率SMPS應用、可再生能源、電機驅動應用等。</P> <P>　　對于許多設計來說，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關。由此帶來的能耗節省和系統總成本降低、可以在更高頻率、更高的功率密度和整體系統效率下工作，使GaN成為對設計工程師非常有吸引力的選擇。</P> <P>　　英飛凌電源和傳感器系統事業部總裁Andreas Urschitz表示：“除了與第1代相同的高可靠性標準外，由于轉向8英寸晶圓制造，下一代客戶將因晶體管更易控制以及顯著改善的成本定位而受益。如同雙方聯合開發的第一代器件（即英飛凌的CoolGaN和松下的X-GaN），第二代器件將基于常閉型硅基氮化鎵晶體管結構，再結合混合型漏極嵌入式柵極注入晶體管（HD-GIT）結構無可比擬的穩健性，使這些組件成為市場上的首選產品和最長期可靠的解決方案之一。”</P> <P>　　松下電器工業解決方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示：“我們很高興能擴大與英飛凌在氮化鎵組件方面的伙伴關系和合作。在這種聯合方式下，我們將能夠以最新的創新發展為基礎，提供高品質的第一代和第二代器件。”</P> <P>　　供貨情況</P> <P>　　全新650V GaN Gen2器件計劃于2023年上半年上市。</P>