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* 所屬類別： (不超過20項)	電源產品分類： UPS電源穩壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發電機組開關電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫療電源家電電源便攜式電源充電機(器) 勵磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測變壓器傳感器軸流風機電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發電) 風能發電潮汐發電水利發電燃料電池其他類：其他
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* 內容：	<P>　　2021年12月17日，中國——服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導體。該系列產品屬于意法半導體的STPOWER產品組合，能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。該系列的目標應用包括消費類電子產品的內置電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電。消費電子產品內置電源的全球產量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應用中，意法半導體的PowerGaN器件也適用于電信電源、工業驅動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設施。</P> <P>　　意法半導體汽車與分立器件產品部副總裁、功率晶體管事業部經理Edoardo Merli表示：“基于GaN的產品商用是功率半導體的下一個攻堅階段，我們已準備好釋放這一激動人心的技術潛力。今天，ST發布了STPOWER產品組合的新系列的首款產品，為消費、工業和汽車電源帶來突破性的性能。我們將逐步擴大PowerGaN產品組合，讓任何地方的客戶都能設計更高效、更小的電源�！�</P> <P>　　技術細節</P> <P>　　氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙復合半導體材料，電壓耐受能力比傳統硅材料高很多，而且不會影響導通電阻性能，因此可以降低導通損耗。此外，GaN產品的開關能效也比硅基晶體管高，從而可以取得非常低的開關損耗。開關頻率更高意味著應用電路可以采用尺寸更小的無源器件。所有這些優點讓設計人員能夠減少功率變換器的總損耗（減少熱量），提高能效。因此，GaN能更好地支持電子產品輕量化，舉例來說，與目前隨處常見的充電器相比，采用GaN晶體管的PC機電源適配器更小、更輕。</P> <P>　　據第三方測算，在使用GaN器件后，標準手機充電器最多可瘦身40%，或者在相同尺寸條件下輸出更大的功率，在能效和功率密度方面也可以取得類似的性能提升，適用于消費、工業、汽車等各種電子產品。</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 471px; HEIGHT: 287px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20211221171227558.jpg" width=619 height=332></P> <P>　　作為意法半導體新的G-HEMT晶體管產品家族的首款產品，650V SGT120R65AL具有120mΩ的最大導通電阻(Rds(on))、15A的最大輸出電流和優化柵極驅動的開爾文源極引腳。該產品目前采用行業標準的PowerFLAT 5x6 HV緊湊型貼裝封裝，其典型應用是PC適配器、USB壁式充電器和無線充電。</P> <P>　　正在開發的650V GaN晶體管現在有工程樣品提供，其中120mΩRds(on)的SGT120R65A2S采用2SPAK高級層壓封裝，取消了引線鍵合工序，提高了大功率高頻應用的能效和可靠性，SGT65R65AL和SGT65R65A2S的導通電阻都是65mΩRds(on)，分別采用PowerFLAT 5x6 HV和2SPAK封裝。這些產品預計在2022年下半年量產。</P> <P>　　此外，G-FET系列還推出一個新的共源共柵GaN晶體管SGT250R65ALCS，采用PQFN 5x6封裝，導通電阻為250mΩRds(on)，將于2022年第三季度提供樣品</P> <P>　　G-FET晶體管系列是一種非�？�、超低Qrr、穩健的GaN共源共柵或d模式FET，帶有標準硅柵極驅動，適用于各種電源設計。</P> <P>　　G-HEMT晶體管系列是一種超快、零Qrr的增強模式HEMT，并聯簡易，非常適合頻率和功率非常高的應用。</P> <P>　　G-FET和G-HEMT都屬于STPOWER產品組合的PowerGaN系列。</P>