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<P> 隨著數據中心對人工智能和機器學習(AI/ML)的利用率越來越高,大量數據不斷被產生和消耗,這給數據中心快速而高效地存儲、移動和分析數據提出了巨大挑戰(zhàn)。</P> <P> 而中國的情況尤其如此:隨著中國不斷推進人工智能的發(fā)展,對高性能處理的需求持續(xù)增長,而傳統(tǒng)數據中心已然成為必須解決的瓶頸。為應對這一挑戰(zhàn),中國公布了《新型數據中心發(fā)展三年行動計劃》。與傳統(tǒng)數據中心相比,新型數據中心具有高技術、高算力、高能效和高安全的特征。</P> <P> 在市場需求和產業(yè)政策支持的雙驅動下,數據中心服務器迫切需要更大的內存帶寬和容量,以更好地支持AI/ML的持續(xù)發(fā)展。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20211222160920922.jpg"></P> <P> 自2013年推出以來,高帶寬存儲器(HBM)日益被視為將數據中心服務器和AI加速器的性能提升至新高度的理想方式之一。HBM是一種基于3D堆棧工藝的高性能SDRAM架構,能夠實現巨大的內存帶寬。</P> <P> 2018年年底,JEDEC固態(tài)技術協會宣布了HBM2E標準,以支持更高的帶寬和容量。HBM2E每個引腳的傳輸速率上升到3.6Gbps,可以實現每個堆棧461GB/s的內存帶寬。此外,HBM2E最高支持12個DRAM的堆棧高度,并且單堆棧內存容量高達24GB。</P> <P> 在HBM2E中,四個連接到處理器的堆棧將提供超過1.8TB/s的帶寬。通過內存的3D堆疊,HBM2E可以在極小的空間內實現高帶寬和高容量。在此基礎上,下一代的HBM3內存將數據傳輸速率和容量推向了新的高度。</P> <P> Rambus HBM3內存子系統(tǒng)針對高帶寬和低延遲進行了專門優(yōu)化,能夠以緊湊的架構和高效能的封裝提供最佳的性能和靈活性。這一解決方案由完全集成的PHY和數字控制器組成,包含完整的HBM3內存子系統(tǒng)。</P> <P> 相比HBM2E,Rambus HBM3內存子系統(tǒng)將最大數據傳輸速率提高了一倍以上,達到每個數據引腳8.4Gbps(當此速度下的DRAM可用時)。該系統(tǒng)接口具有16個獨立通道,每個通道包含64位,總數據寬度為1024位。在最大數據傳輸速率下,可以提供1075.2GB/s的總接口帶寬,換言之,帶寬超過1TB/s。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20211222160906663.jpg"></P> <P> 這一內存子系統(tǒng)專為2.5D架構設計,帶有一個內插器,以在SoC上的3D DRAM堆棧和PHY之間傳輸信號。同時,這種信號密度和堆疊架構的組合還要求特殊的設計考量。為提高設計的易實施性和靈活性,Rambus對整個2.5D架構的內存子系統(tǒng)進行了完整的信號和電源完整性分析,以確保滿足所有的信號、電源和熱量要求。除此之外,Rambus還提供中介層參考設計。</P> <P> 憑借在高速信號處理方面逾30年的專業(yè)知識,以及在2.5D內存系統(tǒng)架構設計和實現方面的深厚積淀,Rambus正引領HBM的演變。Rambus提供了業(yè)界最快的HBM2E內存子系統(tǒng);如今通過數據傳輸速率高達8.4Gbps的HBM3內存子系統(tǒng),Rambus更進一步地提高了HBM的帶寬標準。</P>
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