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* 所屬類別： (不超過20項)	電源產品分類： UPS電源穩壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發電機組開關電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫療電源家電電源便攜式電源充電機(器) 勵磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測變壓器傳感器軸流風機電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發電) 風能發電潮汐發電水利發電燃料電池其他類：其他
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* 內容：	<P>　　【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項全新的CoolSiC技術，即CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。</P> <P>　　CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行窗口的擴大，柵極能很好地耐受與驅動器和布局相關的電壓峰值，即使在更高開關頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術，還可通過采用不同封裝使不同型號的產品實現更高功率密度，為設計工程師提供更多選擇，助力其提升應用性能。</P> <P>　　Easy模塊可實現更高的功率密度</P> <P>　　M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中，以進一步優化Easy 1B和2B模塊。此外，英飛凌還將推出一款新產品，利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技術和增強Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性，適用于廣泛的工業產品組合。采用M1H芯片，可顯著降低模塊的導通電阻，讓設備更加可靠和高效。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220513161457686.jpg"></P> <P align=center>　　CoolSiC<SUP>TM</SUP> MOSFET 1200V Easy 3B</P> <P>　　此外，M1H芯片的最高結溫為175°C，具備更出色的過載能力，可實現更高的功率密度，同時擴展了系統安全工作區。與其前身M1芯片相比，M1H芯片實現了更低的內部柵極電阻（RG），這有利于輕松優化開關特性。M1H芯片保持了其動態特性。</P> <P>　　具備超低導通電阻的分立式封裝</P> <P>　　除了集成Easy模塊系列之外，CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H產品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝，導通電阻值極低，根據不同的型號分為7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10 V，改善了柵極電壓過沖和下沖，并且實現了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力，可以輕松用于產品設計。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220513161508368.jpg"></P> <P align=center>　　CoolSiC<SUP>TM</SUP> MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4</P> <P>　　以前在D2PAK-7L封裝中引入的英飛凌.XT互連技術，現在也可在TO封裝中實現。較之標準互連技術，其散熱能力提高了30%以上。這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益，可以將輸出功率提高多達15%。另外，它還能提高開關頻率，進一步減少諸如電動汽車（EV）充電、儲能或光伏系統等應用中所需的無源器件，從而提高功率密度并降低系統成本。.XT互連技術可降低SiC MOSFET結溫，而不改變系統運行條件，因此大大延長了系統的使用壽命，提高了功率循環能力。這也是伺服驅動器等設備的關鍵要求。</P> <P>　　新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進一步釋放SiC技術的應用潛力，在全球范圍內推動清潔能源的開發利用，并提高能源效率。</P>