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* 所屬類別： (不超過20項(xiàng))	電源產(chǎn)品分類： UPS電源穩(wěn)壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發(fā)電機(jī)組開關(guān)電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應(yīng)用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫(yī)療電源家電電源便攜式電源充電機(jī)(器) 勵(lì)磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測(cè)試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測(cè) 變壓器傳感器軸流風(fēng)機(jī) 電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發(fā)電) 風(fēng)能發(fā)電潮汐發(fā)電水利發(fā)電燃料電池其他類：其他
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* 內(nèi) 容：	<P>　　【2022年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用，使得臺(tái)達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標(biāo)邁出了一大步。臺(tái)達(dá)成功開發(fā)出了雙向逆變器，即一個(gè)由太陽能發(fā)電、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車（EV）充電組成的三合一混合系統(tǒng)，它能夠?qū)㈦妱?dòng)汽車作為家庭應(yīng)急備用電源。</P> <P>　　這款雙向逆變器可用于為電動(dòng)汽車（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時(shí)的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊和采用D²PAK-7L，7引腳封裝的1200 V CoolSiC MOSFET（一種表面貼裝器件）。它將三個(gè)應(yīng)用整合在一起，在一個(gè)尺寸僅為425 x 865 x 160mm的緊湊封裝中實(shí)現(xiàn)了三合一系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，具有重要的里程碑意義。該系統(tǒng)的輸出功率約為10 kW，允許通過的最大連續(xù)電流為34 A，峰值效率可以超過97.5%。</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 304px; HEIGHT: 197px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220801180949800.jpg" width=441 height=254></P> <P>　　CoolSiC MOSFET Easy 1B</P> <P>　　臺(tái)達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，致力于進(jìn)一步提高電源管理效率，是一個(gè)值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件，我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個(gè)系統(tǒng)中，向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步。”</P> <P>　　英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“該項(xiàng)目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑，我們十分榮幸能夠成為該項(xiàng)目的重要參與者。我們期待著臺(tái)達(dá)能夠與英飛凌長(zhǎng)期合作。英飛凌的功率半導(dǎo)體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用，對(duì)此我們深感自豪。”</P> <P>　　創(chuàng)建這套三合一系統(tǒng)用到的重要組件包括：帶有NTC溫度傳感器、采用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供超高的設(shè)計(jì)靈活性和高電流密度。同時(shí)，該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù)，與CoolSiC MOSFET配合使用，實(shí)現(xiàn)了低電感設(shè)計(jì)以及極小的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。它支持客戶實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率設(shè)計(jì)，可以讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)得更加小巧。EasyPACK模塊能夠幫助客戶縮短新產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間，降低總體成本。</P> <P>　　該系統(tǒng)還采用了英飛凌的其他幾款半導(dǎo)體器件，其中包括采用了CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件，以及采用D²PAK-7L，7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC MOSFET（IMBG120R350M1H）。后者采用.XT互連技術(shù)，具有與同類產(chǎn)品相比更加出色的熱性能，并且采用了開爾文源極概念。這些功率器件憑借其優(yōu)勢(shì)確保了極低的開關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)效率。</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 263px; HEIGHT: 258px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220801181018662.jpg" width=481 height=392></P> <P>　　CoolSiC MOSFET D2PAK 7-pin</P> <P>　　SiC MOSFET提供3µs的短路能力，并且MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準(zhǔn)柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具備強(qiáng)大的抗寄生導(dǎo)通能力，可在0 V關(guān)斷電壓下運(yùn)行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強(qiáng)大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝,這些MOSFET可以直接集成到具有自然對(duì)流冷卻功能的PCB上，因此無需額外的散熱器。</P>

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