下一代功率半導體SiC國際會議召開

　　作為繼Si之后的新一代功率半導體，SiC是與GaN等一樣備受矚目的材料。有望成為實現電源系統高效率化和小型化的關鍵所在。關于SiC的全球最高級別國際學會“第七屆碳化硅與相關材料歐洲會議（ECSCRM）”于當地時間2008年9月7日在西班牙巴塞羅那召開。會議截止日期為08年9月11日。

　　ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發表決定SiC元件特性和價格的SiC底板、結晶成長技術以及分析技術等相關最新成果。除這些技術外，“還將發表利用SiC的石墨烯制作技術和面向生物技術的應用等近來備受矚目的研究成果”（在國際籌劃指導委員會就職的科學技術振興機構（JST）JST京都科技創新館（Innovation Plaza）館長松波弘之）。