ST推出功率密度達到業(yè)內(nèi)最高水平的30V功率晶體管

    近日，意法半導(dǎo)體(STM)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管，導(dǎo)通電阻僅為2毫歐(最大值)，新產(chǎn)品可提高計算機、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的能效。

    采用意法半導(dǎo)體最新的 STripFET VI DeepGATE制造工藝，單元密度提高，以有效芯片尺寸對比，新產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最佳的導(dǎo)通電阻RDS(ON)，比上一代產(chǎn)品改進大約20個百分點，開關(guān)穩(wěn)壓器和直流--直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)因此可以使用小尺寸的貼裝功率封裝。這項技術(shù)還得益于本身既有的低柵電荷量特性，這項優(yōu)點讓設(shè)計人員可以使用高開關(guān)頻率，在產(chǎn)品設(shè)計中選用尺寸更小的無源器件，如電感和電容。

    意法半導(dǎo)體新30V表面貼裝功率晶體管產(chǎn)品提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括SO-8、DPAK、5×6mm PowerFLAT、3.3×3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，兼容現(xiàn)有的焊盤/引腳布局，同時還能提高能效和功率密度。這一特性使意法半導(dǎo)體的STripFET VI DeepGATE產(chǎn)品系列可以創(chuàng)造出最大的市場機遇。

    首批采用新工藝的產(chǎn)品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6兩款產(chǎn)品。STL150N3LLH6采用5×6mm PowerFLAT封裝，單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)達到市場最低水平；STD150N3LLH6采用DPAK封裝，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為2.4毫歐。

    兩款產(chǎn)品的樣片都已上市，計劃2009年6月開始量產(chǎn)。

    詳情登錄意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos。