Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量

    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來(lái)的空間來(lái)提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、便攜式媒體播放器，以及對(duì)其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類(lèi)型消費(fèi)性產(chǎn)品。

    DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導(dǎo)通電阻來(lái)減低功耗。此外，其雙N通道共汲極配置特別適合一般使用低側(cè)電池開(kāi)關(guān)的充電電路，從而滿(mǎn)足單電芯及雙電芯鋰電池的要求。至於要求高端連接的應(yīng)用，Diodes公司也推出了DMP2100UCB9，提供雙P通道共源MOSFET設(shè)計(jì)。

    這款新一代雙向MOSFET憑藉這些功能，加上占位面積僅1.8mm x 1.8mm、厚度少於0.4mm的芯片級(jí)封裝，非常適合注重外形小巧的電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池保護(hù)應(yīng)用。其它功能還包括少於1V 的柵極閾值電壓，有助於全面提升通道在低電壓下工作的性能，以及防止靜電放電電壓超過(guò)2kV的柵極保護(hù)能力。<