氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優勢和成熟規模化的生產能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇（Eric）的“氮化鎵產品主要的應用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產品線Transphorm公司獨特GaN技術和產品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創新的Cascode結構的HEMT高壓產品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術領域劍走偏鋒，成為該陣營的領頭羊。
富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇（Eric）主題演講中
高壓GaN技術的領頭羊是如何煉成的？
最近一年多以來，一個中國工程師和媒體社群極少聽到的品牌——美國Transphorm公司——以一種“穩秘模式”異軍突起，已成為電子能源轉換行業開發與供應GaN解決方案業務的國際公認領導廠商。據Eric介紹，基于知名投資公司的資金支持(其中包括富士通、谷歌風投、索羅斯基金管理公司以及量子戰略合作伙伴資助等)，Transphorm成為了一家快速成長的公司，尤其是在高壓GaN解決方案方面是國際公認的領導者，Transphorm致力實現高效且緊湊的電源轉換。
“事實上，Transphorm已經是GaN技術的行業‘老兵’。”Eric指出，“Transphorm創始人與核心工程團隊在電源和GaN半導體方面，有超過20年的直接經驗和領先地位�！睋�，自1994年以來，Transphorm的團隊已經率先推出了最早的GaN晶體管的開發，幾經合并后的團隊帶來了卓越的垂直整合經驗，其中包括GaN材料和器件、制造與測試、可靠性和應用工程，以及制造和電力行業知識�！斑@種垂直專業技術保證了能夠以最快的速度響應客戶的需求，并且確保了重要的知識產權地位，同時還提供符合客戶的要求專用電源解決方案。”Eric表示。
Transphorm公司的GaN專業知識和垂直整合使其能夠快速開發出高性能、可靠并且強勁的產品。Transphorm是重要戰略性知識產權的初創者，擁有超過400項國際專利，包括收購富士通的功率GaN設計、開發和知識產權資產。Transphorm的專利實現了成功將GaN商業化的方方面面，包括材料生長、器件結構、器件制造方法、電路的應用、架構和封裝等。
結構創新，HEMT改善的不僅僅是效率
據Eric介紹，Transphorm HEMT 氮化鎵產品的獨特性源于其獨特的產品內部結構。從半導體的結構來看，HEMT 氮化鎵產品跟普通MOSFET不一樣，電流是橫向流，它是在硅的襯底上面長出氮化鎵，它是S極垂直往上的，上面是S極流到D極，與傳統的MOS管流動不一樣。
HEMT器件獨特的Cascode結構剖析
目前所有的產品在技術和研發上有兩個方向，一個是上電的管子是關著的，還有一種是上電以后管子是打開的。基本上前面的產品是沒有辦法用的，因為一上電管子就關了�！坝杏焉淘诘谝粋�管子上面人為地做成Normally off（常關）。但隨著時間的推移，原來5伏可以打開，慢慢時間久了可能6伏才能打開。”Eric指出，“對這個問題，Transphorm給出了解決辦法——通過增加一個低壓MOS管，這個結構就是前面提到的Cascode結構，用常開的產品實現常閉產品一樣的性能�！�
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