CISSOID和中科院電工所建立戰略合作關系，共同研發解決方案推動碳化硅功率器件廣泛應用

　　比利時·蒙-圣吉貝爾和中國·北京 – 2019年6月10日 – 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統研發項目，攻克技術難題，實現耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現廣泛應用。
　　
　　近年來，碳化硅功率器件憑借多方面的性能優勢，在一些領域開始逐漸取代傳統硅器件。同時，新能源汽車在全球各地快速發展，推動碳化硅器件的市場規模不斷擴大，目前國際頂級的特斯拉和豐田等車廠已開啟了碳化硅功率器件在新能源汽車領域的早期應用。然而，在汽車應用中，為了充分發揮碳化硅器件的優勢，需要驅動器在耐高溫以及異常嚴苛的保護機制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來自比利時的高溫半導體解決方案領先廠商，擁有在航空航天、石油、汽車等多個高端領域驗證過的，應用超過10年的耐高溫、高可靠性、高魯棒性元器件及驅動器產品，可以使碳化硅功率模塊在系統中充分發揮性能，進而幫助提升新能源汽車的電力運轉水平和續航里程。
　　
　　中科院電工所是以電氣科學與工程為學科方向的國立科研機構，定位于電能領域的高新技術研發與電氣科學的前沿研究，在中國能源技術與電氣科學領域具有重要地位。中科院電工所在電動汽車領域有超過20年的研究歷史，承擔并完成了數十項國家、地方的電動汽車相關重要科技攻關任務，在中國率先開展了車用高功率密度電機驅動的基礎理論和關鍵技術開發，其產品和技術成功應用于北京市2008年奧運會、上海市2010年世博會等運行示范項目，在國際同行中享有很高的聲譽和廣泛的影響。近年來，中科院電工所在寬禁帶半導體方面率先開展研究，成功研發出具有自主知識產權的直接冷卻碳化硅混合功率模塊、新型間接冷卻膜電容組件和全碳化硅高功率密度驅動電機控制器樣機，功率密度和效率等部分關鍵指標方面達到國際領先水平。本次CISSOID公司和中科院電工所攜手研發高質量的基于碳化硅功率模塊的系統，將利用各自優勢形成強大合力，助力中國新能源汽車領域實現更快、更好發展。
　　
　　年，中國新能源汽車產銷量均有大幅度增長，突破了125萬臺。這對中國碳化硅功率器件市場的發展有著極大的推動作用。中科院電工所近年來在新能源利用領域投入了大量的研發力量，新能源汽車就是其中非常的重要領域，此次與CISSOID公司合作研發的基于碳化硅功率模塊的系統就是我們推動中國新能源汽車發展的關鍵一步。”中科院電工所溫旭輝研究員表示。“新能源汽車對高效率、小體積、耐高溫的碳化硅器件及其驅動器件有很強的需求，CISSOID公司多年來在高溫驅動器和高溫封裝方面的技術可以助力碳化硅器件在系統級上實現耐高溫、高能量密度，同時可極大地提高電控系統整體的可靠性。”
　　
　　“中科院電工所是中國一流的研究機構，他們在新能源汽車領域的研究與我們一拍即合。十分期待雙方的研究可以將碳化硅功率模塊的效率及能量密度推向新高。CISSOID將利用自己久經驗證、享譽業界的高溫驅動芯片和高溫封裝設計團隊為本次研發合作提供大力支持，解決碳化硅器件應用的技術難題，使碳化硅功率模塊在新能源汽車領域實現廣泛而深入的應用。”CISSOID首席執行官Dave Hutton先生表示。“CISSOID非常看重中國新能源汽車領域的發展，同時十分注重與中國半導體產業的融合發展，我們已經融入了來自中國的投資，并在芯片制造、封裝測試等方面，開始與中國公司進行廣泛的合作。此次我們與中國頂級研究機構共同開發則進一步體現了CISSOID以求廣泛融入中國半導體產業生態的戰略。”
　　
　　市場研究公司 Yole Development 的報告指出，在過去幾十年里，市場的需求、技術的進步及設計的改良等因素一直驅使功率半導體的平均結溫不斷上升，已由1980年的100℃增加了到2018年的150℃。這一現象一方面表明功率器件品質和可靠性越做越好，另一方面也體現了整個行業對高功率密度的不斷追求。按其報告預測，對功率半導體的結溫要求在近幾年內將很快達到并超過175℃。這與第三代半導體功率器件（碳化硅和氮化鎵）的普及，以及市場對高功率密度設計的需求直接相關。在新能源汽車領域亦是如此，采用碳化硅器件可以帶來頻率高、內阻小等優點，并充分提高能源效率，但是需要耐高溫驅動器的良好配合。此次CISSOID公司和中科院電工所的強強聯合，將利用業界領先的耐高溫驅動器件以充分發揮碳化硅功率器件的優勢，為新能源汽車的發展提供強大助力。