2021年6月15日—推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出新的、集成的、轉(zhuǎn)換器-逆變器-功率因數(shù)校正(PFC)模塊，用于在工業(yè)電機驅(qū)動、伺服驅(qū)動和暖通空調(diào)(HVAC)中驅(qū)動風(fēng)扇和泵等應(yīng)用的電機。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分別是基于標準氧化鋁(AI2O3)基板和增強型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊(TMPIM)。這些模塊非常適用于具有高輸出功率的強固工業(yè)應(yīng)用，它們包含一個轉(zhuǎn)換器-逆變器-PFC電路，由集成四個75 A、1600 V整流器的單相轉(zhuǎn)換器組成。三相逆變器使用6個集成反向二極管的50 A、600 V的IGBT，雙通道交錯式PFC包括兩個集成反向二極管的75 A、650 V PFC IGBT，和兩個50 A、650 V PFC二極管。壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個負溫系數(shù)(NTC)熱敏電阻，以在工作期間監(jiān)測器件溫度。
由于該模塊以優(yōu)化的布局和配置進行預(yù)封裝，與基于PCB的分立設(shè)計相比，寄生元素非常小，從而實現(xiàn)在18 kHz和65 kHz之間的寬PFC開關(guān)頻率范圍。高能效的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG額定電流為50 A，能在高達8 kW的應(yīng)用中使用，是安森美半導(dǎo)體TMPIM系列的最新器件。其他器件的額定電流為20 A和30 A。
緊湊的壓鑄模DIP-26封裝尺寸僅73毫米x 47毫米x 8毫米--比當前的方案節(jié)省20%的面積，實現(xiàn)了更高的功率密度水平。密封和強固的封裝包括一個集成散熱片（距引腳6毫米），并提供高水平的耐腐蝕性。
安森美半導(dǎo)體還提供碳化硅(SiC)配置選項以進一步提高開關(guān)頻率和能效。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以FAN9672 PFC控制器和門極驅(qū)動器方案，包括新的NCD5700x系列器件。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。
以最高能效的方式驅(qū)動電機是簡化安裝、降低熱量積聚、提高可靠性以及降低系統(tǒng)成本的關(guān)鍵。安森美半導(dǎo)體的TMPIM器件將輸出引腳標準化，最小化寄生元素，為設(shè)計人員提供高性能的“即插即用”方案。將NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG與FAN9672和NCD57252相結(jié)合，提供一個快速設(shè)計路徑，以實現(xiàn)精密高能效的電機控制方案。
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