空間應用電源需要在抗輻射技術環境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業航天和國防空間應用認證。
Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電機驅動和控制以及通用開關。這款MOSFET器件能夠承受惡劣的空間環境，增強電源電路的可靠性，并以更高的性能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來的衛星系統，也可作為現有系統的備用電源。
新器件可以承受高達100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達87 MeV/mg/cm2的線性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）。在驗證測試中，器件的晶圓批次耐輻射合格率達到100%。
Microchip分立式產品業務部副總裁Leon Gross表示：“Microchip進入耐輻射MOSFET市場，體現了我們致力于為客戶提供支持，為航空航天和國防OEM廠商和集成商提供高性能解決方案和持續供應的長期承諾。除了公認的高質量和可靠性外，M6 MRH25N12U3還為開發人員提供價值定價選擇以及全面的應用支持。”
M6 MRH25N12U3屬于Microchip豐富的航空、國防和航天技術產品線。這些產品包括現場可編程門陣列（FPGA）、微處理器集成電路（IC）、線性IC、功率器件、分立器件和集成SiC和Si電源解決方案的電源模塊。再搭配單片機（MCU）和模擬產品，Microchip能夠滿足大功率系統控制、門驅動和功率級的需求，可為全球開發者提供整體系統解決方案。
Microchip在不斷推出新技術的同時，還尋求與航天產品制造商和集成商合作，保障現有和未來系統供應鏈的安全。
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