意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管

　　中國(guó)，2021年8月13日——意法半導(dǎo)體的STPOWER LDMOS晶體管產(chǎn)品家族新最近新增多款產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族有三個(gè)不同的產(chǎn)品系列，均是針對(duì)各種商用和工業(yè)用射頻功率放大器(PA)優(yōu)化設(shè)計(jì)。

　　STPOWER LDMOS的產(chǎn)品特色是高能效和低熱阻，封裝芯片可處理高射頻功率，兼?zhèn)涠虒?dǎo)通溝道和高擊穿電壓，這些特點(diǎn)使射頻功率放大解決方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。

　　新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE兩個(gè)系列是28V/32V共源N溝道增強(qiáng)式橫向擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)射頻功率晶體管，擴(kuò)大了產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用范圍。IDCH系列的輸出功率是8W到300W，為最高工作頻率4GHz的應(yīng)用專門設(shè)計(jì)，包括2.45GHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)設(shè)備、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星通信、航空電子和雷達(dá)設(shè)備。該系列LDMOS器件適用于所有類型的調(diào)制格式。

　　IDDE系列包含10W-700W產(chǎn)品，用于頻率高達(dá)1.5GHz的商業(yè)、工業(yè)和科學(xué)寬帶通信，可在所有相位承受10:1的負(fù)載VSWR(電壓駐波比)，適用于所有典型的信號(hào)調(diào)制格式，也適用于大多數(shù)類別的射頻功率放大，包括A類、AB類和C類。高能效可大限度地減少達(dá)到目標(biāo)輸出功率所需電能，降低工作成本和散熱量，簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)。

　　意法半導(dǎo)體的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道增強(qiáng)式橫向場(chǎng)效應(yīng)射頻功率晶體管。IDEV產(chǎn)品組合的輸出功率范圍是15W到2.2kW，設(shè)計(jì)用于頻率高達(dá)250MHz的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備，包括驅(qū)動(dòng)高功率CO2激光器、等離子體發(fā)生器、MRI系統(tǒng)、88MHz–108MHz的廣播調(diào)頻無(wú)線電發(fā)射機(jī)，以及頻率高達(dá)1.5GHz的航空電子設(shè)備和雷達(dá)。該系列適用于所有典型調(diào)制格式以及A類、AB類和C類功放。

　　在高頻(3-30MHz)到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波(CW)輸出功率，而且只采用一個(gè)陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)量。能效高于82%，有助于將系統(tǒng)電能需求降至最低水平，并確保系統(tǒng)工作可靠，熱管理設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。

　　意法半導(dǎo)體在這三個(gè)產(chǎn)品系列內(nèi)總共推出了30款新的STPOWER RF LDMOS產(chǎn)品，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝。

　　產(chǎn)品詳情訪問www.st.com/stpower-rf-ldmos.