TI推出全新GaN技術，攜手臺達打造高效能服務器電源供應器

　　2021年9月23日，北京訊——德州儀器（TI）（納斯達克代碼TXN）今宣布其氮化鎵（GaN）技術和C2000™實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用服務器電源供應器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務器電源供應器相比，臺達研發(fā)的服務器電源供應器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機構(gòu)Energy Innovation1數(shù)據(jù)顯示，效率每提升1%，相當于每個數(shù)據(jù)中心節(jié)省了1兆瓦（或800戶家庭用電）的總所有成本。

　　臺達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統(tǒng)的領導廠商，產(chǎn)品應用范圍廣泛，包括IT設備、電動車充電與工業(yè)電源等。TI在GaN技術以及C2000™MCU實時控制解決方案上長達十年的投資有目共睹，是臺達長期合作的重要伙伴。此次TI采用創(chuàng)新的半導體制造工藝來制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺達等企業(yè)打造差異化應用，更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

　　“在TI，我們致力于通過半導體技術讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟實用，讓世界更美好，并且我們的GaN技術為更高效、更小、更可靠的全新解決方案的誕生帶來更多可能，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示，“除了技術投資外，TI在內(nèi)部制造方面的投資能夠快速普及GaN等新技術，并為臺達等客戶提供支持。”

　　“臺達長期致力于通過高效能產(chǎn)品和解決方案，與伙伴及客戶密切合作，以降低碳足跡。這也促使我們與TI這樣的行業(yè)領軍企業(yè)開展長期合作，持續(xù)進行新一代技術的開發(fā)、應用。GaN技術已突破門坎，從人們口中的未來科技落地，成為當今電源系統(tǒng)設計中切實可行的一個選擇。”臺達電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理Jimmy Yiin說，“通過引入新技術，我們希望為服務器的電源供應器實現(xiàn)超過98%的效率，功率密度超過100瓦/立方英寸。GaN技術將變革現(xiàn)有的電源設計和架構(gòu)，未來幾年電源方案和產(chǎn)品的發(fā)展令人期待，臺達也將善用新技術，進一步強化我們作為數(shù)據(jù)中心和其他電源解決方案的領先供應商地位。”

　　集成的GaN芯片提供更高的效率、功率密度和系統(tǒng)可靠性

　　在高電壓、高功率工業(yè)應用中，TI的GaN FET集成了快速開關驅(qū)動器，以及內(nèi)部保護和溫度感測功能，能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實現(xiàn)高性能。

　　芯片通過4000萬小時以上的設備可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換測試，可提供嚴謹可靠的數(shù)據(jù)，并可透過GaN構(gòu)建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。

　　TI的GaN電源解決方案同C2000™實時MCU相結(jié)合，可提供復雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設的可擴展性等眾多優(yōu)勢。此外，這些MCU可支持不同的電源拓撲設計和高開關頻率，更大限度提升電源效率，充分發(fā)揮基于GaN的服務器供電單元的潛力。

　　制造和長期投資戰(zhàn)略確保靈活供應

　　TI獨特的工藝、封裝和電路設計技術組合簡化了生產(chǎn)，企業(yè)能夠通過配置不同的選項來擴大硅基氮化鎵的產(chǎn)量，以應對電信、工業(yè)和汽車企業(yè)不斷變化的需求。

　　TI自有的GaN外延和組裝/測試能力，使企業(yè)能夠按需求靈活解決工具冗余問題。

　　隨著市場需求的增加，體積更小且需要支持更多數(shù)據(jù)的系統(tǒng)已經(jīng)成為趨勢，TI的長期投資和靈活的制造戰(zhàn)略，將使其成為領先的GaN和實時MCU供應商。

　　TI和臺達將于2021年9月27日至29日的TI Live!Tech Exchange共同舉辦主題為《GaN技術的影響及其對未來工業(yè)設計的意義》的在線技術交流研討會。屆時，TI專家將通過一系列主題演講、論壇、技術會議和產(chǎn)品演示，討論電源管理、汽車、實時控制、視覺傳感和設計趨勢等內(nèi)容。欲了解更多信息，請訪問ti.com/techexchange。