英飛凌：持續(xù)聚焦電氣化和數(shù)字化 實現(xiàn)數(shù)字和現(xiàn)實世界的連接

　2021財年，英飛凌業(yè)績表現(xiàn)亮眼：總營收為110.6億歐元，同比增長29%，總運營利潤達到20.72億歐元；運營利潤率為18.7%。整個財年的營收首次突破了110億歐元，同時盈利能力顯著提升，業(yè)務(wù)增長勢頭比以往任何時候都更加強勁。

英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場總監(jiān)陳子穎

　　據(jù)英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場總監(jiān)陳子穎介紹，從英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部在2021財年第四季度的業(yè)務(wù)表現(xiàn)不難看出，在新能源市場的帶動下，功率半導(dǎo)體需求持續(xù)高漲。此外，工業(yè)驅(qū)動和家電等應(yīng)用市場也是持續(xù)向好。

　　2021年，英飛凌為電機驅(qū)動應(yīng)用建立了IGBT7全系列產(chǎn)品。Easy B和Econo封裝也已經(jīng)拓展到中功率EconoDUAL™3和62mm，EconoDUAL™3最大電流做到了900A，比IGBT4 600A 1200V增加了50%。

　　IGBT7是繼IGBT4上市后一個重要的產(chǎn)品，它采用微溝槽技術(shù)，損耗比IGBT4低，而且允許過載時的工作結(jié)溫達175度，這樣定義產(chǎn)品符合應(yīng)用實際需求。IGBT7的高功率密度使應(yīng)用系統(tǒng)的功率密度也大幅提高。譬如匯川技術(shù)采用IGBT7的伺服驅(qū)動SV660 1kW，比采用IGBT4的上一代產(chǎn)品IS620體積減小39%。

　　電機驅(qū)動是功率半導(dǎo)體的重要應(yīng)用，英飛凌的電機驅(qū)動方案覆蓋幾十瓦到幾十兆瓦的各類應(yīng)用。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括IGBT、SiC MOSFET，采用IGBT、MOSFET和SiC的IPM和高壓大電流晶閘管以及電機驅(qū)動芯片iMOTION™。應(yīng)用領(lǐng)域包括大小家電、低壓中壓變頻器、伺服驅(qū)動器、機車牽引、風(fēng)力發(fā)電等。

　　英飛凌可以為電機驅(qū)動提供完整的電機驅(qū)動解決方案，不局限于功率半導(dǎo)體。開發(fā)的22kW通用變頻器的參考設(shè)計，采用了英飛凌最新的EasyPIM™3B封裝的IGBT模塊FP100R12W3T7_B11、電流傳感器TLI4971-A120T5、柵極驅(qū)動器1ED3131MC12H、1.7kV SiC-MOSFET IMBF170R1K0M1以及微控制器XMC4800-F144F2048和XMC4300-F100K256，參考設(shè)計使得客戶能夠在一個系統(tǒng)中評估這些產(chǎn)品。

22kW通用變頻器的參考設(shè)計

EasyPIM™3B封裝的IGBT模塊FP100R12W3T7_B11

　　半導(dǎo)體是技術(shù)含量非常高的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品，需要在技術(shù)上不斷創(chuàng)新才能保證市場競爭力，英飛凌一直引領(lǐng)功率半導(dǎo)體的芯片技術(shù)，不斷提高能效，提高功率密度。英飛凌也是功率模塊封裝技術(shù)的創(chuàng)新者，開發(fā)的封裝形式紛紛成為工業(yè)標準。

　　英飛凌是100億歐元體量的半導(dǎo)體公司，產(chǎn)能也是其核心競爭力之一。英飛凌不斷投資擴大產(chǎn)能以滿足市場需要。2021年9月，位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動運營。這座以“面向未來”為座右銘的芯片工廠總投資額為16億歐元，是歐洲微電子領(lǐng)域同類中最大規(guī)模的項目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體器件工廠之一。同時，英飛凌無錫工廠正在擴充IGBT和功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線。擴產(chǎn)完成后，將成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)中心之一。

　　了解客戶需求，是英飛凌產(chǎn)品開發(fā)的重要輸入。電力電子技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展很快，中國客戶有不少創(chuàng)新的技術(shù)和應(yīng)用需要創(chuàng)新的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品來實現(xiàn)，英飛凌與客戶合作，為客戶、為應(yīng)用市場一起定義產(chǎn)品，使得客戶的產(chǎn)品更有競爭力，促進電力電子應(yīng)用的發(fā)展。

　　英飛凌擁有完整豐富的產(chǎn)品系列，工業(yè)驅(qū)動器領(lǐng)域，可以提供整體半導(dǎo)體解決方案。功率半導(dǎo)體IGBT模塊是最常見的解決方案，CoolSiC™MOSFET是針對高度集成驅(qū)動器的最佳解決方案。通過使用碳化硅MOSFET技術(shù)，開關(guān)和導(dǎo)通損耗被最小化，這使被動冷卻成為可能。對于苛刻的環(huán)境，如鋼鐵行業(yè)，英飛凌的高級H2S保護技術(shù)為保護半導(dǎo)體免受腐蝕性氣體損壞提供了一個可靠的解決方案。

　　英飛凌專注于那些與人們的生活密切相關(guān)、與當(dāng)前的市場需求密切相關(guān)的應(yīng)用，以及長期發(fā)展所必需的領(lǐng)域，以改善人們的生活、推動社會發(fā)展、助力實現(xiàn)氣候目標。

　　電氣化和數(shù)字化是塑造未來十年的時代大趨勢，這條主線一直推動著英飛凌不斷前行。起初，英飛凌專注于提升電氣領(lǐng)域的能效，這一舉措已經(jīng)為減碳降耗做出了貢獻。現(xiàn)在，英飛凌更多地關(guān)注整個電力全產(chǎn)業(yè)鏈；與此同時，利用英飛凌創(chuàng)新的半導(dǎo)體科技推動數(shù)字化進行，以減少資源的消耗。

　　英飛凌以這兩大趨勢為目標來統(tǒng)籌和規(guī)劃業(yè)務(wù)。作為一家半導(dǎo)體公司，英飛凌的愿景是實現(xiàn)數(shù)字和現(xiàn)實世界的連接，讓人們的生活更便利、更安全、更環(huán)保。未來英飛凌將持續(xù)聚焦電氣化和數(shù)字化，重點在未來出行、物聯(lián)網(wǎng)、能源效率三個方向進行業(yè)務(wù)布局。

　　在碳達峰、碳中和的大趨勢之下，英飛凌希望通過持續(xù)的材料、技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新，為智能汽車、智能樓宇、智能樓宇、智能工廠、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施等豐富的應(yīng)用場景提供低碳互聯(lián)的系統(tǒng)級解決方案。2022年，英飛凌將繼續(xù)聚焦電氣化和數(shù)字化，鑒于節(jié)能、互聯(lián)的世界對半導(dǎo)體的需求持續(xù)高速增長，英飛凌將保持強勁增長。同時，英飛凌正顯著加大投資力度，抓住增長機會，包括持續(xù)擴大硅以及碳化硅和氮化鎵化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)能等。

　　從2001年英飛凌推出全球第一顆SiC二極管開始，距今已有20周年。英飛凌一個以技術(shù)創(chuàng)新為頂層價值觀的公司，這會倒逼公司去擁抱新的材料、新的技術(shù)。SiC畢竟是新材料，所以從材料、供應(yīng)鏈到應(yīng)用的成熟性需要一個過程，時機是很重要的，而英飛凌在產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)方面是比較慎重的，對產(chǎn)品質(zhì)量管控比較嚴格，為了向用戶提供品質(zhì)、可靠性更好的SiC產(chǎn)品，英飛凌花了30年時間不斷進行技術(shù)打磨和沉淀。

　　可以用“立足長遠、厚積薄發(fā)”來形容英飛凌在SiC領(lǐng)域的發(fā)展歷程。在過去20年中，英飛凌實現(xiàn)了非常多的SiC技術(shù)創(chuàng)新。英飛凌在全球已經(jīng)擁有超過3000家SiC的活躍用戶，發(fā)布了200款CoolSiC產(chǎn)品，其中有50%以上產(chǎn)品源自于客戶定制。

　　接下來，英飛凌在SiC領(lǐng)域的發(fā)展還將繼續(xù)“提速”。隨著SiC整個供應(yīng)鏈的不斷成熟，以及英飛凌SiC器件在量產(chǎn)上經(jīng)驗的充分積累，英飛凌內(nèi)部已經(jīng)成立了專門的SiC加速項目，推動研發(fā)項目的加速和營收增長，無論是新品發(fā)布還是市場覆蓋，英飛凌在市場端會變得越來越活躍。