我國硅光伏項目投資前必須要知曉的四大判斷

產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)系判斷

    硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈長且技術(shù)、工藝方面互相牽制，投資不能看成是一個企業(yè)的獨(dú)立行為，上下游關(guān)系是投資前首要考慮的要素。

    晶體硅按純度不同分為太陽能級和電子級硅材料。太陽能級硅材料生產(chǎn)鏈包括：工業(yè)硅—多晶硅—多晶硅錠—硅片;工業(yè)硅—多晶硅—單晶硅棒—硅片。電子級硅材料生產(chǎn)鏈包括：工業(yè)硅—多晶硅—單晶硅—硅片。太陽能級硅材料是光伏產(chǎn)業(yè)的上游材料，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈包括硅料—硅片—電池片—電池組件—應(yīng)用系統(tǒng)5個環(huán)節(jié);電子級硅材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游材料。可以說，硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈條較長，產(chǎn)業(yè)細(xì)分明顯，但由于產(chǎn)業(yè)供需矛盾和我國處于光伏產(chǎn)業(yè)初期階段的特性，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)之間的合作受市場、技術(shù)和工藝方面的牽制，例如電池片和組件環(huán)節(jié)就存在技術(shù)工藝的牽制現(xiàn)象，薄硅片技術(shù)一直是硅材料技術(shù)的發(fā)展方向，最近幾年硅片從最初的330μm向180μm甚至更薄發(fā)展(德國FhG-ISE研制的40μm單晶硅電池效率達(dá)到20%)，有關(guān)研究表明多晶硅片由于晶界的脆弱易碎，極限厚度最小可到100μm。薄硅片可以有效實現(xiàn)成本降低，這就要求硅片切割企業(yè)在實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的同時，還需要求其下游的電池片和組件環(huán)節(jié)提升技術(shù)工藝，否則加工過程中容易出現(xiàn)易碎的現(xiàn)象，反而造成了材料的浪費(fèi)和成本上升。

    因此，企業(yè)的投資并不能簡單的看成是個體行為，在投產(chǎn)前需對上下游合作關(guān)系做充分的研究，主要體現(xiàn)在合作的意向、產(chǎn)能現(xiàn)狀與趨勢、技術(shù)和工藝適合性等方面。

技術(shù)水平判斷

    在多晶硅生產(chǎn)方面，國外7大廠長期以來一直實行技術(shù)封鎖，而且存在被薄膜和化合物技術(shù)替代的可能性，國內(nèi)企業(yè)投資多晶硅不能簡單依靠現(xiàn)有技術(shù)，所以技術(shù)能力是投資前需要考慮的第2個要素。

    多晶硅市場一直由全球7大廠壟斷，我國在2007年以前只有洛陽中硅和峨嵋半導(dǎo)體兩家多晶硅企業(yè)，國外高純多晶硅材料的制造成本在40美元/kg左右，國內(nèi)的制造成本約在80美元/kg左右，與國外水平還有較大差距。2005-2007年國外硅材料企業(yè)的產(chǎn)能和生產(chǎn)情況見表1。所以，如果國內(nèi)企業(yè)只是以國內(nèi)技術(shù)水平來投資硅材料項目，則會明顯落后于7大廠。

表1:2005-2007年國外硅材料企業(yè)的產(chǎn)能和產(chǎn)量情況

    同時，替代技術(shù)也是投產(chǎn)前必須要評估的要素，即薄膜和化合物技術(shù)。薄膜硅太陽能電池對原料需求較小，因此被視為適于未來大規(guī)模生產(chǎn)的低成本太陽能電池，然而這種電池的光電轉(zhuǎn)換效率較低，如果這種太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率得到提升，很可能是未來的主流技術(shù);化合物半導(dǎo)體與有機(jī)材料已經(jīng)得到了實際應(yīng)用，理論上，化合物半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換效率要比硅材料高，但仍存在缺陷，例如，化合物多晶薄膜CIGS(Cu-In-Ga-Se)的轉(zhuǎn)換效率為13%、但銦十分稀缺，GaAs化合物薄膜中砷(As)的大量使用則會帶來不少環(huán)境問題。

    雖然目前薄膜和化合物技術(shù)的替代性較小，但對于欲進(jìn)入硅光伏產(chǎn)業(yè)的企業(yè)來講，則是重要的投資風(fēng)險，因此，在投產(chǎn)前需要對自身的技術(shù)能力做全面評估。