Vishay發(fā)布業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET

器件采用雙面冷卻、SO-8尺寸封裝、導(dǎo)通電阻低至6.1mΩ
 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。
 
    N溝道SiE876DF的目標(biāo)應(yīng)用是工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路、用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源，以及使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)，還可以在更高電壓的中間總線轉(zhuǎn)換(IBC)設(shè)計(jì)中用做初級側(cè)開關(guān)或次級側(cè)整流。
 
    在這些應(yīng)用中，低導(dǎo)通電阻的SiE876DF可以產(chǎn)生更低的傳導(dǎo)損耗，從而節(jié)約能源。除了TrenchFET硅技術(shù)對降低導(dǎo)通損耗的貢獻(xiàn)外，PolarPAK封裝的雙面冷卻還能為高電流應(yīng)用提供更好的熱性能，這樣器件可以在更低的結(jié)溫下工作。PolarPAK的引線框封裝設(shè)計(jì)還能提高保護(hù)性能和可靠性，此外，由于硅片不是暴露在外的，這種封裝還能簡化制造過程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的，漏源電壓等級低于150V，因此能簡化PCB設(shè)計(jì)。SiE876DF還百分之百通過了Rg和UIS測試。
 
    60V的SiE876DF現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

VISHAY簡介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。■