薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

　　厚膜電阻器的內(nèi)部端接通常都不同程度地采用了鍍銀/鈀工藝。這些相對廉價(jià)的端接材料具有更高的銀含量，但通常正是內(nèi)部端接中的銀容易受到硫的污染。

　　盡管有可能找到銀含量更低的厚膜材料，但至今為止，這些備選材料都需要更高的成本，因此批量生產(chǎn)似乎不太可能。另一方面，薄膜片狀電阻器使用濺射的、以鎳鉻鐵合金為主要材質(zhì)的內(nèi)部端接，不含銀且通常也不包含任何其他貴金屬。這意味著鎳鉻鐵合金薄膜材料的價(jià)位比那些金、鈀或鉑含量更高的厚膜材料更為穩(wěn)定。

　　只有內(nèi)部端接不包含銀或銅質(zhì)材料的片狀電阻器，或者那些內(nèi)部端接由硫無法滲透的中間層加以保護(hù)的片狀電阻器，才能夠完全不受硫污染的影響。市場上存在具有競爭力的基于厚膜的解決方案，它們有一定防硫效果，但仍不能完全避免硫污染——時間一長，它們最終也會失效，變成開路。

　　同樣，我們知道，浸鍍的保護(hù)性鈍化層的不重合也可能會使得硫污染的影響更為嚴(yán)重。在這種情況下，降低浸渡工藝的速度可以將這種效應(yīng)降至最低，但這樣做也會增加制造成本并降低制造產(chǎn)能。因?yàn)楸∧��?nèi)部端接不受硫污染的影響，所以這一工藝的精度并不重要。

　　很明顯，就其內(nèi)部端接而言，薄膜電阻器技術(shù)可以更好地抵抗硫污染。除此之外，采用薄膜技術(shù)的電阻器也具有整體穩(wěn)定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決于電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。

圖2 額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

　　在過去，這種電噪聲更低的改進(jìn)措施只有在高端音頻應(yīng)用中才能體現(xiàn)其重要性。但是，厚膜電阻器難以滿足目前最新的高速通信設(shè)備，例如路由器、網(wǎng)橋和DSL調(diào)制解調(diào)器等對噪聲的要求。許多因素導(dǎo)致厚膜電阻器的噪聲更大，薄膜和厚膜技術(shù)最顯著的一個差異體現(xiàn)在激光修整特性上。一旦燒制成功，厚膜材料的性狀實(shí)際上與玻璃類似。因此，隨著材料的冷卻，激光修整會在修整區(qū)域周圍形成許多細(xì)小的微裂痕。這些微裂痕是寄生電容和錯誤電流路徑的一種來源，所有這些都會固有地導(dǎo)致對高速通信信號的處理性能的下降。