Diodes推出為VoIP應用優化的全新N溝道MOSFET ZXMN15A27K及ZXMN20B28K

    Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET ZXMN15A27K及ZXMN20B28K，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。

    ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝，經過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路（SLIC）DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統、PBX系統、有線和DSL網關。
 
    兩款新器件的擊穿電壓（BVDSS）分別為150V及200V，能夠承受SLIC環境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電路。配合正確選擇的變壓器，這些MOSFET就能驅動150V以上的線路電壓，并以6公里以上的環路長度提供多種用戶線路。
 
    這些MOSFET的低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅動，進一步簡化了電路設計，減少了元件數量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實現低柵極驅動。■