恩智浦在“2010年國(guó)際微波研討會(huì)”上展示其適用更高效基站的高性能射頻產(chǎn)品

    恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）最近宣布，在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)”上，展示了其用于新一代基站的最新高性能射頻和混合信號(hào)產(chǎn)品。特色產(chǎn)品包括恩智浦新型高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器組合——全球首個(gè)支持JEDEC JESD204A串行接口的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——現(xiàn)已批量發(fā)售。恩智浦還展示了其基于SiGe:C技術(shù)的廣泛的射頻和中頻放大器產(chǎn)品組合，包括低噪聲放大器（LNAs），以及固定和可變?cè)鲆娣糯笃鳎�能夠�(qū)崿F(xiàn)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施TRx無(wú)線電設(shè)計(jì)上的更高集成度。此外，恩智浦也展示了其第七代 LDMOS功率晶體管，以及一個(gè)Doherty功率放大器的綜合產(chǎn)品組合，其中包括業(yè)界首個(gè)三路900MHz Doherty放大器，和一個(gè)高達(dá)600W的單封裝Doherty，這是一個(gè)可在大功率范圍保持高效率的緊湊型器件。

    恩智浦半導(dǎo)體高級(jí)副總裁兼高性能射頻和照明業(yè)務(wù)總經(jīng)理John Croteau表示，“隨著無(wú)線數(shù)據(jù)流量的巨幅增長(zhǎng)，移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)商正在承受著將高性價(jià)比和低功耗的基站快速推向市場(chǎng)的巨大壓力。從分立器件到模塊構(gòu)件和專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)，恩智浦提供一系列的高性能射頻產(chǎn)品組合，簡(jiǎn)化了更緊湊和更高效解決方案的設(shè)計(jì)過(guò)程”�！巴ㄟ^(guò)我們?cè)贘ESD204A、SiGe:C和LDMOS等技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，以及我們對(duì)系統(tǒng)層面架構(gòu)創(chuàng)新的關(guān)注，恩智浦填補(bǔ)了行業(yè)內(nèi)的各項(xiàng)空白，從低功耗電網(wǎng)和射頻拉遠(yuǎn)的部署，到相控陣天線，以及很多其他的特別創(chuàng)新。”

    特色產(chǎn)品包括：

    · 高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs在行業(yè)內(nèi)首次運(yùn)用JEDEC JESD204A串行接口，除大幅減少數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器與VLSI邏輯器件之間的互聯(lián)信號(hào)數(shù)量外，還能夠支持多數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器通道的同步結(jié)合。JEDEC JESD204A接口解決了棘手的系統(tǒng)設(shè)計(jì)難題，提高了系統(tǒng)的可靠性，并減少了開發(fā)時(shí)間和材料用量（BOM）成本。恩智浦JESD204A接口CGV轉(zhuǎn)換器與來(lái)自Altera, Lattice及 Xilinx基于SERDES的FPGA實(shí)現(xiàn)互通操作。恩智浦ADC提供卓越的85dBc SFDR線性性能；比目前可用的典型高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高出5dB，且實(shí)現(xiàn)低功耗優(yōu)化。高達(dá)16位，125 Msps 采樣率的恩智浦ADC支持很高的頻率輸入范圍，它把“射頻轉(zhuǎn)換器” 這一新的產(chǎn)品類別引入業(yè)界，并已得到了認(rèn)可。

    · 先進(jìn)的小信號(hào)射頻器件。恩智浦將展示其射頻小信號(hào)的完整產(chǎn)品組合，其中包括基于SiGe:C工藝的突破性低噪聲放大器系列產(chǎn)品，它滿足無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施非�？量痰囊�求，即 NF小于0.7dB，20dB增益和33dBm IP3，實(shí)現(xiàn)了更高的集成度。其他重點(diǎn)包括通過(guò)恩智浦全面射頻測(cè)試的基于硅工藝的固定和可變?cè)鲆娓呔�性度放大器產(chǎn)品系列，適用于IF和RF頻段，可實(shí)現(xiàn)P1dB最高達(dá)33dBm，增益控制范圍超過(guò)30dB，模擬和數(shù)字SPI控制接口，OIP3達(dá)45dBm以上。  

    最佳射頻功率產(chǎn)品。恩智浦將展示其第七代 LDMOS大功率晶體管組合，其功效表現(xiàn)出色，單端封裝200W，推挽（雙路）封裝250W和300W。如同所有的恩智浦LDMOS功率晶體管，第七代LDMOS高功率晶體管保障了基站可靠運(yùn)行所需的耐用性。此外，恩智浦提供了全面的最佳Doherty功率放大器，覆蓋了無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的整個(gè)頻率范圍，從 400到3500MHz ，這在業(yè)界是最廣的。通過(guò)均在900兆赫環(huán)境下運(yùn)行的業(yè)界首個(gè)三路Doherty放大器和基于恩智浦50V LDMOS處理技術(shù)的第一個(gè)單封裝600W Doherty功率放大器，恩智浦為射頻設(shè)計(jì)工程師提供了最佳選擇，并使非常緊湊的基站成為可能。三路Doherty電路可達(dá)52.7dBm峰值（平均功率44.1dBm），并具有49.2%的高效率。目前，600W（57.8dbBm）單封裝電路在帶內(nèi)49.2dBm輸出功率狀態(tài)下，可實(shí)現(xiàn)超過(guò)43%的效率。此外，恩智浦將展示其獨(dú)有的專為緊湊型射頻拉遠(yuǎn)和天線陣列設(shè)計(jì)的完全集成Doherty放大器�！�