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東芝電子攜多款功率器件產品參加PCIM 2014

2014/7/16 14:28:39   電源在線網
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    近期,“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )在上海世博展覽館隆重舉行,日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司盛裝亮相,展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。

    東芝電子本次展出的產品包括:IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產品、Stack(壓接裝置)產品、SiC(混合型IEGT)產品、IPD + MCU(電機驅動方案)、MOSFETs以及Coupler(光耦)。

    東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE:Injection Enhanced)技術,用于高電壓大電流級別的IGBT使其性能得到大幅提升。隨后,針對100kW到MW級別的超大功率電力轉換設備的應用,開發出東芝專利產品IEGT。IEGT通過采取“注入增強結構”實現了低通態電壓,使大功率電力電子器件取得了飛躍性的發展。作為IGBT系列電力電子器件具有良好的發展前景,其具有低損耗、高速開關、高耐壓、有源柵驅動智能化等特點。并采用溝槽結構和多芯片并聯均流等技術,使其在進一步及擴大電流容量方面頗具潛力。目前,東芝的IEGT主要應用于新能源、太陽能、風能、高壓直流輸電(HVDC)、牽引用特種電源等特大功率電力領域。隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高,IEGT的優勢逐步得到了體現和認可。現在國內市場上已經有以東芝的IEGT作為核心器件成功運行項目。

    此外,針對PPI壓接式封裝的產品,需要專用的壓接裝置,東芝在展會上展示了客戶版本的壓接裝置,可供其他客戶參考;在SiC (混合型IEGT)產品方面,東芝已將新型材料碳化硅的技術,成功地應用于IEGT模塊中,取代了IEGT中的二極管,實現了高效和高性能的新產品;同時,東芝電子的智能模塊IPD結合了專用驅動芯片MCD,可以支持小功率的電機,并已被廣泛地用于家電行業;公司擁有豐富封裝的高壓MOS管(HV-MOS)和低壓MOS(LV-MOS)產品線,能滿足從消費類電子到工業相關設備的不同需求。

    東芝電子在節能、環保、綠色及可持續發展等方面以全面創新為己任,整合多領域技術,提供優秀的產品和技術支持。<

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