ST 90nm小頁面NAND閃存提供較低成本存儲方案

　　意法半導體(ST)日前宣布，該公司采用90nm制造工藝的小頁面NAND閃存系列產品全線上市。ST的128、256和512兆位閃存產品已向90nm先進制造工藝的成功轉型，同時還為數碼相機、PDA、GPS導航系統、低密度閃存卡、U盤、打印機、機頂盒、數字電視、汽車多媒體系統和多媒體手機等產品提供了節省成本的存儲解決方案。

　　NAND閃存產品的數據傳輸速度極快，并具有數據可擦除功能。該系列產品的尋址線路和數據輸入/輸出是通過一條8位總線傳輸信號，這種多路復用技術不僅可以減少封裝引腳的數量，還允許系統使用一個模塊化的NAND接口，無需改變芯片的占板面積，即可使系統自動適應高密度或低密度的閃存設備。

　　ST還提供一套軟件工具鏈，幫助用戶快速開發使用新閃存芯片的產品，同時還有助于延長產品的使用壽命。工具包括糾錯代碼(ECC)軟件、壞塊管理(BBM)、平均讀寫算法、文件系統OS本機參考軟件和硬件仿真模型，其中壞塊管理能夠識別失敗的擦寫操作并將無效區塊上的數據復制到有效區塊上；平均讀寫算法通過在所有的區塊中分配擦寫操作可以減緩芯片老化速度。

　　存儲器由16千字節的區塊組成，每個區塊再細劃分為512字節的頁面，每個頁面還預留16字節的可被頁面讀寫和編程的存儲空間。預留字節通常用于糾錯代碼、軟件標記或壞區塊識別。數據復制程序模式可以使存儲在一個頁面的數據直接編程到另一個頁面，而無需外部緩存，當一個頁面編程操作因為區塊損壞而失敗時，數據復制功能就用于移動損壞的數據。新產品還提供一個區塊擦除指令，擦除時間僅2ms。每個區塊規定擦寫循環100,000 次，數據保存期限10年。

　　新產品具有“無需介意芯片啟動”(Chip Enable Don't Care)功能，這個功能可以簡化微控制器的接口設計，以及NAND閃存與其它類型存儲器(NOR閃存和xRAM)的整合方法。用于速度更快的代碼和工作內存，可使用成本更低廉、密度更高的NAND閃存存儲大容量文件。設備制造商在產品出廠前可以編寫一個唯一設備ID，用戶可編程序列號功能支持目標應用日益提高的安全性能。

　　ST的90nm制造工藝小頁面NAND閃存系列目前已投入量產，訂購100,000件芯片，單價分別為3美元(128Mbit)、4美元(256Mbit)和5美元(512Mbit) 。