IR 推出采用4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì)，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。

    IRFH4257D采用IR的新一代硅技術(shù)和封裝專利技術(shù)，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來(lái)一流的功率密度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。

    IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作，為單相位或多相位應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設(shè)計(jì)師可選擇能滿足其設(shè)計(jì)要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”

    IRFH4257D符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和第一級(jí)濕度敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

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