Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動器提升轉(zhuǎn)換效率

    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。

    新驅(qū)動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動電流，從而使功率MOSFET電容負載實現(xiàn)快速充放電功能。驅(qū)動器具有超速開關(guān)，而且提供少于5ns的傳遞延遲時間，以及少于20ns的升降時間。

    兩款ZXGD3009系列的產(chǎn)品通過分開的抽灌輸出來獨立控制MOSFET的開關(guān)時間，使MOSFET的工作模式更能滿足應用的需求。器件能以正負電壓驅(qū)動柵極，確保功率MOSFET硬關(guān)斷的可靠性 。

    新柵極驅(qū)動器備有堅固的射極跟隨器，以防止閉鎖和擊穿現(xiàn)象，并能承受高達2A的峰值電流。兩款產(chǎn)品提供的40V寬廣工作電壓范圍，加上功率MOSFET柵極驅(qū)動，也使它們能處理遠超于功率MOSFET柵極驅(qū)動常見的12V電壓尖峰。<