物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用催生新型智能代工廠

    現(xiàn)在很難在某一次業(yè)內(nèi)會(huì)議上聽不到或者看不到關(guān)于 IoT（Internet of Things——物聯(lián)網(wǎng)）的討論，但近日亮相ICCAD峰會(huì)的一家專為IoT應(yīng)用而生的新型晶圓代工廠——三重富士通半導(dǎo)體還是讓中國(guó)IC界眼前一亮！在本次ICCAD峰會(huì)上，剛成立不久的三重富士通半導(dǎo)體公司和業(yè)界人士深入討論了該如何滿足IoT應(yīng)用所需的IC或器件的制造需求。據(jù)悉，三重富士通半導(dǎo)體是在2014年12月接管富士通半導(dǎo)體在三重工廠的300mm生產(chǎn)線和配套設(shè)備而新成立的一家專業(yè)代工企業(yè)。

    伴隨物聯(lián)社會(huì)大發(fā)展應(yīng)運(yùn)而生

    “隨著以智能手機(jī)/平板電腦為代表的移動(dòng)通訊市場(chǎng)的急速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)汽車、醫(yī)療、工業(yè)等各種領(lǐng)域的智能化及以IoT為代表的新市場(chǎng)將出現(xiàn)增長(zhǎng)、擴(kuò)大趨勢(shì)，對(duì)代工企業(yè)的需求也將從傳統(tǒng)的小型化一邊倒?fàn)顟B(tài)開始向如何進(jìn)一步降低既有技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功耗等其他方面的改進(jìn)。” 三重富士通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展部外山弘毅先生就曾在上月舉行的2014年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)暨中國(guó)內(nèi)地與香港集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)作發(fā)展高峰論壇（簡(jiǎn)稱ICCAD峰會(huì)）上表示。

圖1. 三重富士通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展部外山弘毅先生。

    為應(yīng)對(duì)IoT所帶來的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，打造未來智慧城市，三重富士通半導(dǎo)體于2014年12月接管富士通半導(dǎo)體在三重工廠的300mm生產(chǎn)線和配套設(shè)備，由此一個(gè)代工專業(yè)企業(yè)便應(yīng)運(yùn)而生。

    “作為代工合作伙伴，我們旨在通過定制化的工藝技能和技術(shù)支持，助力您的商業(yè)成功。我們承諾將通過革命性的解決方案和快速反饋，滿足客戶的需求。‘成為面向智能社會(huì)的新型智能代工廠’是我們努力的目標(biāo)。” 外山弘毅先生表示。

圖2. 三重富士通半導(dǎo)體公司領(lǐng)先的制程方案解決IoT設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

    可穿戴、移動(dòng)智能和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)給半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的機(jī)遇，而三重富士通半導(dǎo)體出色的技術(shù)（ULP（超低功耗技術(shù)），eNVM（非易失性存儲(chǔ)器）和RF）以及技術(shù)支持（定制化），將助力客戶實(shí)現(xiàn)能夠支持智能社會(huì)的產(chǎn)品。

    超級(jí)CMOS技術(shù)（ULP、eNVM、RF）

    “降低功耗并控制成本已成為半導(dǎo)體行業(yè)的最大課題，我們將通過改善成本效率最為出色的平面CMOS工藝技術(shù)來解決這一問題。這種工藝技術(shù)是IoT市場(chǎng)的關(guān)鍵”。外山弘毅先生表示。

    在技術(shù)層面，三重富士通半導(dǎo)體公司在基本的CMOS工藝基礎(chǔ)之上做了工藝的改善，這包括：ULP（超低功耗技術(shù)）、非易失性存儲(chǔ)器和RF設(shè)計(jì)。

    1、ULP——可實(shí)現(xiàn)移動(dòng)式和可穿戴器件所必需的超低功耗

    如下圖3所示。為實(shí)現(xiàn)移動(dòng)穿戴設(shè)備不可或缺的低功耗，三重富士通半導(dǎo)體公司已經(jīng)開發(fā)出“C55ULP”加工技術(shù)。“C55ULP”具有在超低電壓下可保持運(yùn)作的晶體管與超低漏電晶體管技術(shù)。這種晶體管為了降低功耗采用了與傳統(tǒng)的CMOS不同的結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)超低功耗。因此，當(dāng)與傳統(tǒng)的55nm CMOS技術(shù)相比較時(shí)，“C55ULP”在相同的運(yùn)作速度下，實(shí)現(xiàn)了較“C55LP”大約50%的功耗縮減。

圖3. 在相同的運(yùn)作速度下使ULP技術(shù)較LP技術(shù)降低50%功耗。

    此外，超低漏電晶體管也將泄漏電流從毫微微安培降低到皮皮安培。“C55ULP”還可為客戶量身打造提供低功耗方案。“我們是世界上首家且唯一一家引進(jìn)超低電壓和超低漏電晶體管技術(shù)并從事大量生產(chǎn)的代工企業(yè)。” 外山弘毅先生特別強(qiáng)調(diào)。

    2、eNVM——提供最低成本且與CMOS有高融合性的非易失性存儲(chǔ)器

    非易失性存儲(chǔ)器多使用于汽車、IC卡、智能儀表等各種電子儀器。三重富士通半導(dǎo)體公司將以最低成本為客戶安裝具備與CMOS有高融合性的非易失性存儲(chǔ)器。