Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的要求；30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相風(fēng)扇應(yīng)用。

    DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把雙N通道和雙P通道MOSFET集成到占位面積僅為5mm x 6mm 的單一SO-8封裝，成為完整的H橋。替代尺寸相當(dāng)于四個(gè)SOT23封裝或兩個(gè)SO-8封裝的器件，適用于多種受空間限制的汽車和工業(yè)應(yīng)用，包括低功率直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和風(fēng)扇控制，并且滿足驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載的類似要求。

    兩款H橋節(jié)省空間的優(yōu)勢與MOSFET的低導(dǎo)通電阻性能相輔相成，40V N通道器件在10V VGS的電壓下一般只有45mΩ的電阻；40V P通道器件的電阻在 -10V VGS 的電壓下則為65mΩ。器件的低導(dǎo)通電阻可把傳導(dǎo)損耗降到最低，從而能夠在電機(jī)堵轉(zhuǎn)的情況下承受較高的連續(xù)電流。這些30V及40V額定值的H橋在+70ºC的高溫工作環(huán)境下，可分別提供3A和2A的連續(xù)電流，以適應(yīng)最壞情況下的電機(jī)堵轉(zhuǎn)電流。<