三菱電機在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

    三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。

    今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：工業傳動、光伏發電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。

    工業及光伏發電市場

    針對工業光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。

    這次展出的第7代IGBT模塊，特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流100A至1000A；采用預涂熱界面材料(TIM)，與傳統硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現有的統一封裝(NX)和傳統封裝(A/NF/MPD)，適應不同的結構設計需求；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。

第7代IGBT模塊

    整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路。 它采用第7代CSTBTTM硅片；提供短路保護和欠壓保護；內置自舉二極管； 提供LVIC溫度模擬量輸出功能；額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以最大程度地簡化布線設計，縮小基板面積，縮短開發周期；同時還可以降低布線電感及濾波器成本，使噪聲設計變得簡單。

整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+

    4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專門為提高光伏發電效率而開發的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開關采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結溫高達175℃；內部雜散電感小，正負端子之間為32nH、正零端子之間為和零負端子之間均27nH；絕緣耐壓高達4000Vrms/1min；更采用了易于并聯的封裝結構。

4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊

    在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級和1700V級均采用第6代IGBT硅片，實現更低損耗，方便客戶根據不同需要構建I型或者T型三電平拓撲；模塊內部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達4000Vrms/1min，結溫最高可達175℃。

1in1三電平逆變器用IGBT模塊

    三菱電機大中國區半導體總經理四個所大亮先生稱：“三菱電機承持可持續發展信念，不斷研發高性能、高可靠性及小型化的功率器件，來滿足電力電子市場的需要。對于功率器件市場的前景，我們抱持十分樂觀的態度，隨著中國政府加大力度治理環境，必將給新能源利用產業帶來更大的發展空間。”

    變頻家電市場

    對于變頻家電應用，三菱電機這次特別推介兩款產品，分別為SJMOS DIPIPMTM模塊與專為變頻冰箱及變頻風機設計的SLIMDIP模塊。

    SJMOS DIPIPMTM模塊采用IGBT和SJMOS并聯技術，達至同時優化小電流段和大電流段的損耗，封裝和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模塊。

SJMOS DIPIPMTM模塊

    SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術，集成短路保護和欠壓保護，內置自舉二極管（和限流電阻），同時提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本，封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達30%。

SLIMDIP模塊