英飛凌推出整合IGBT與二極體功能的單晶片

    英飛凌科技(Infneon TEchnologies)推出6.5kV功率模組，在單一晶片上整合IGBT與飛輪二極體功能。新款RCDC(具備二極體控制功能的逆導(dǎo)IGBT)晶片，適合用于現(xiàn)代化高速火車(chē)與高效能牽引式機(jī)械、未來(lái)的HVDC電力傳輸系統(tǒng)，以及石油、天然氣與采礦等產(chǎn)業(yè)所使用的中電壓馬達(dá)。

英飛凌推出整合IGBT與二極體功能的單晶片

    相較于之前相同尺寸的模組，RCDC技術(shù)將電流密度提高33%，并改善了散熱效能，因此達(dá)成更長(zhǎng)的生命周期、更高的可靠性，進(jìn)而將所需的維護(hù)減到最少。

    運(yùn)用RCDC技術(shù)，英飛凌擴(kuò)充其高效能IGBT的6.5kVKE3產(chǎn)品組合。在正向與反向電流方向皆建置功率更高的矽區(qū)塊，提高了電流密度，這讓設(shè)計(jì)人員能夠增加系統(tǒng)輸出功率，而不需擴(kuò)大面積。功率密度提高的效益，也可用來(lái)維持功率，同時(shí)減少I(mǎi)GBT的數(shù)目，進(jìn)而縮減系統(tǒng)尺寸、重量與成本。

    英飛凌RCDC解決方案提供IHV-A高絕緣封裝，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)尺寸，可直接替代現(xiàn)有的應(yīng)用。除了達(dá)成更高的功率密度外，將IGBT與二極體整合于單一晶片，也可大幅提高二極體I2t值，以及IGBT與二極體的熱阻抗(Rth/Zth)，后者確保整個(gè)運(yùn)作過(guò)程中理想的散熱效能。更低的晶片溫度(Tvj)漣波，可延長(zhǎng)運(yùn)作壽命;使用閘極控制的選項(xiàng)，也可讓設(shè)計(jì)人員權(quán)衡取舍導(dǎo)通與切換損耗，以達(dá)成最高整體效率。

    RCDC模組現(xiàn)已開(kāi)始提供工程設(shè)計(jì)樣品，搭配包含驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板的入門(mén)套件，預(yù)計(jì)于2015年第4季推出。為簡(jiǎn)化與加快產(chǎn)品建置，英飛凌提供各種設(shè)計(jì)支援選項(xiàng)，包括應(yīng)用手冊(cè)與控制概念。<