ST的先進半導體技術為未來移動網(wǎng)絡基礎設施奠定重要基礎

    意法半導體的BiCMOS55 SiGe 先進技術被歐洲E3NETWORK項目組采用，用于開發(fā)適合下一代移動網(wǎng)絡的高效率、高容量數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)。

    移動數(shù)據(jù)使用量的迅猛增長，要求網(wǎng)絡系統(tǒng)支持更大的容量和更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。而如何加快移動網(wǎng)絡向先進網(wǎng)絡架構轉型的速度，對移動回程線路（backhaul）基礎設施是一個新的挑戰(zhàn)，例如異構網(wǎng)絡（Heterogeneous Network）與云端無線接入網(wǎng)絡（RAN, Radio Access Network），其中更高頻段（例如E-band ）可提供更大帶寬，以支持更快的數(shù)據(jù)傳輸通道。

    建設這些超高效率的移動網(wǎng)絡，設備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規(guī)模集成電路電子元器件。E3NETWORK項目利用意法半導體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發(fā)出55納米的Ft高達320GHz的異質(zhì)雙極晶體管（HBT, Heterojunction Bipolar Transistors）。這項制造工藝準許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數(shù)字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉換器和存儲器。
E3NETWORK項目采用意法半導體的BiCMOS55制造，目前正在研發(fā)一個集成化的E-band收發(fā)器，用于去程線路（Fronthaul）和回程線路基礎設施，以實現(xiàn)數(shù)字多層調(diào)制，及高度聚焦的筆形波束（Pencil-beam）傳輸，數(shù)據(jù)速率可高達10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時在毫米波（millimeter-wave）間隔期間保護頻譜利用率（Spectrum efficiency）不受影響。

    作為歐盟第7框架計劃中的一個項目，E3NETWORK（Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）匯集了眾多企業(yè)，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德國）、阿爾卡特朗訊（意大利）、CEA（法國）、INXYS（西班牙）、OTE（希臘）、SiR（德國）、Sivers IMA（瑞典）和意法半導體（意大利）。

    編者注：

    ST的BiCMOS技術將兩種不同制造工藝的優(yōu)勢整合在一顆芯片上，雙極晶體管提供高傳輸速率及高增益，這對于高頻模擬電路至關重要，而CMOS元器件在構建簡單、低功耗邏輯門方面的應用表現(xiàn)也非常出色。

    通過在一顆芯片上集成射頻、模擬及數(shù)字電路，意法半導體BiCMOS55 SiGe器件不僅大幅降低了外圍設備的數(shù)量，亦能夠同時進行功耗優(yōu)化。<