Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

    日前，Vishay宣布推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù)，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標。

    “我們承諾為客戶提供支持所有功率轉(zhuǎn)換過程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新的電子系統(tǒng)”，Vishay市場發(fā)展部高級總監(jiān)David Grey說到，“有了SiHP065N60E和即將發(fā)布的第四代600V E系列產(chǎn)品，我們就可以在設(shè)計電源系統(tǒng)架構(gòu)的初期就實現(xiàn)提高效率和功率密度的目標，包括功率因數(shù)校正和隨后的高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。”

    SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻為0.065Ω，柵極電荷低至49nC。器件的FOM為2.8Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別只有93pf和593pF，可改善開關(guān)性能。在通信、工業(yè)和企業(yè)電源系統(tǒng)的功率因數(shù)校正和硬開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲中，這些性能參數(shù)意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。<