Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級(jí)，RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平，提高功率密度和效率

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2020年10月27日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)---SiZ240DT，可用來(lái)提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到業(yè)界出色水平。

　　SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET®MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開關(guān)，10 V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為8.05 mΩ，4.5 V時(shí)為12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步開關(guān)，10 V時(shí)導(dǎo)通電阻為8.41 mΩ，4.5 V時(shí)為13.30 mΩ。這些值比緊隨其后的競(jìng)品低16%。結(jié)合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低柵極電荷，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14%，有助于提高快速開關(guān)應(yīng)用的效率。

　　日前發(fā)布的雙MOSFET比采用6 mm x 5 mm封裝的雙器件小65%，是目前市場(chǎng)上體積最小的集成產(chǎn)品之一。除用于同步降壓，DC/DC轉(zhuǎn)換半橋功率級(jí)之外，新型器件還為設(shè)計(jì)師提供節(jié)省空間的解決方案，適用于真空吸塵器、無(wú)人機(jī)、電動(dòng)工具、家庭/辦公自動(dòng)化和非植入式醫(yī)療設(shè)備的電機(jī)控制，以及電信設(shè)備和服務(wù)器的無(wú)線充電器和開關(guān)電源。

　　集成式MOSFET采用無(wú)導(dǎo)線內(nèi)部結(jié)構(gòu)，最大限度降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，從而減小磁器件和最終設(shè)計(jì)的尺寸。其優(yōu)化的Qgd/Qgs比降低噪聲，進(jìn)一步增強(qiáng)器件的開關(guān)特性。SiZ240DT經(jīng)過(guò)100%Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

　　新型雙MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。