Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK SO-8L非對(duì)稱雙芯片封裝60V MOSFET

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2020年12月15日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET---SQJ264EP，這是采用PowerPAK®SO-8L非對(duì)稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高DC/DC開(kāi)關(guān)模式電源效率的需求。這個(gè)新器件在一個(gè)5mm x 6mm的緊湊型封裝中集成了一個(gè)高邊和一個(gè)低邊MOSFET，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至8.6 mW。

　　與單個(gè)MOSFET解決方案相比，通過(guò)將兩個(gè)TrenchFET®MOSFET封裝在一個(gè)非對(duì)稱封裝中，今天發(fā)布的這款汽車級(jí)器件減少了元件數(shù)量和電路板空間需求，同時(shí)提高了功率密度。此外，其控制（高邊）和同步（低邊）MOSFET在裸片尺寸上的優(yōu)化組合，可在占空比低于50％的功率轉(zhuǎn)換中提供高于對(duì)稱雙器件的效率。

　　SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為20 mW，典型柵極電荷為9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V時(shí)的導(dǎo)通電阻為8.6 mW，典型柵極電荷為19.2 nC。由于沒(méi)有內(nèi)部連接的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，SQJ264EP為設(shè)計(jì)人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性，包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。

　　由于可在超過(guò)+175℃的高溫環(huán)境下工作，雙MOSFET能夠提供信息娛樂(lè)系統(tǒng)、顯示器、LED照明以及電動(dòng)自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。此外，與QFN單封裝和雙封裝相比，SQJ264EP的鷗翼引線允許在其引腳下方實(shí)現(xiàn)更好的焊料流，增強(qiáng)自動(dòng)光學(xué)檢查（AOI）能力以及更高的板級(jí)可靠性。

　　這些MOSFET 100%通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS要求，不含鹵素。

　　SQJ264EP的樣品和批量產(chǎn)品現(xiàn)已開(kāi)始提供，大宗訂單的交貨期為12周。