Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模塊可支持新一代微處理器

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2021年3月16日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出九款采用熱增強(qiáng)型5 mm x 6 mm PowerPAK®MLP56-39封裝，集成電流和溫度監(jiān)測(cè)功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower®智能功率模塊。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模塊提高能效和電流報(bào)告精度，降低數(shù)據(jù)中心和其他高性能計(jì)算，以及5G移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施通信應(yīng)用的能源成本。

　　日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效，器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET®Gen IV技術(shù)，這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn)，顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。SiC8xx智能功率模塊各種應(yīng)用條件下峰值能效可達(dá)93%以上。輕載時(shí)可啟用二極管仿真模式，提高全負(fù)載范圍的效率。

　　采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案，電流報(bào)告精度為7%，而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進(jìn)行檢測(cè)，精度誤差小于3%。從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices,Inc.和Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(tǒng)（SoC）性能，改進(jìn)熱管理。器件適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲(chǔ)器以及DC/DC VR模塊。

　　SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V（如表中所示），開關(guān)頻率高達(dá)2 MHz。故障保護(hù)功能包括高邊MOSFET短路和過流報(bào)警、過熱保護(hù)和欠壓鎖定（UVLO）。SiC8xx系列支持3.3 V和5 V三態(tài)PWM邏輯電平，兼容各種PWM控制器。

　　智能功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為16周。