安森美發布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務器和電信

2021年12月8日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發布新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務器和電信系統是個顯著的好處。此外，強固的體二極管和較高的V_GSS（DC 30 V）增強了系統可靠性。

安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani說：“80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標，要求服務器和數據存儲硬件在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強固的方案，確保持續的系統可靠性。”

FAST版本在硬開關拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，并經過優化以提供更低的門極電荷（Q_g）和E_OSS損耗，實現快速開關。該版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ R_DS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩ R_DS(on)），都采用TO-247封裝。NTP185N60S5H則采用TO-220封裝，NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達到濕度敏感等級MSL 1，并具有開爾文(Kelvin)源架構以改善門極噪聲和開關損耗。

Easy Drive版本適用于硬開關和軟開關拓撲結構，包含一個內置門極電阻（R_g）及經優化的內置電容。它們適用于許多應用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門極和源極之間的內置齊納二極管的R_DS(on) 超過120 mΩ，對門極氧化物的應力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產量，降低不良率。目前供應的兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的R_DS(on)為99 mΩ和120 mΩ，均采用TO-247封裝。

快速恢復（FRFET）版本適用于軟開關拓撲結構，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優勢是快速體二極管，并提供降低的Q_rr和T_rr。強固的二極管耐用性確保更高的系統可靠性。內置齊納二極管的NTP125N60S5FZ 的R_DS(on)為125 mΩ，采用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F 的R_DS(on)為61 mΩ，采用Power88封裝。損耗最低的器件是NTHL019N60S5F，R_DS(on)僅19 mΩ，采用TO-247封裝。