東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

　　東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

　　中國上海，2022年3月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。

　　

　　與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現了優異的低損耗特性。此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關電源的電磁干擾（EMI）。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。

　　與此同時，東芝還提供各類工具，為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

　　東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。

　　應用：

　　-通信設備電源

　　-開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

　　特性：

　　-優異的低損耗特性（在導通電阻和柵開關電荷及輸出電荷間取得平衡）

　　-卓越的導通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值） VGS＝10V

　　-高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

　　主要規格：

　　　　注：

　　[1]截至2022年3月的東芝調查。

　　[2]柵極開關電荷和輸出電荷。

　　[3]與現有產品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產品將漏源導通電阻×柵開關電荷提高了大約20%，漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。