用于未來軌道牽引電路的雙SiC MOSFET 模塊的特性檢測
作者：張斌 上傳時間：2013/4/14 16:41:51
摘要：硅IGBT 已經廣泛用于軌道牽引變頻器，不久的將來，碳化硅(SiC) 技術將在3 個方向上進一步擴展開關器件的極限：更高的阻斷電壓、更高的工作溫度和更高的開關速度。如今，第一批SiC MOSFET 模塊已經有效的投向市場，并且很有希望。雖然目前在阻斷電壓方面仍有待提高，但這些寬禁帶器件將大大改善牽引電路的效率，尤其是在開關損耗上預期會有顯著的降低，從而導致功率- 重量比的大幅改善。
敘詞：IGBT，SiC，MOSFET，模塊，開關損耗，軌道牽引變頻器
Keyword：IGBT, SiC MOSFET, Module, Switch loss, Rail traction transducer
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀9193次
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