為增強型GaN功率晶體管匹配門極驅動器
上傳時間：2019/11/7 11:01:20
摘要：氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀1427次
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