絕緣柵雙極晶體管IGBT特性與研發(fā)（一）
作者：周志敏 上傳時間：2005/3/19 16:20:49
摘要：本文闡述了絕緣柵雙極晶體管IGBT的結構、靜態(tài)、動態(tài)特性、工作原理、關鍵技術及其應用情況，結合國內IGBT的發(fā)展現狀，探討了IGBT研發(fā)的技術動向。
敘詞：IGBT 結構 工作原理 特性 研制
Abstract：This paper elaborate insulated-gate bipolar transistor IGBT frame and static state and dynamic characteristic and work elements and develop aspect ，combine domestic IGBT developactuality，discuss IGBT develop technique pulse。
Keyword：IGBT frame work elements characteristic develop
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀4438次
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