您的位置：電源在線首頁>>技術文摘>>其他>>包含熱模型的大功率MOSFET新型電路模型正文

包含熱模型的大功率MOSFET新型電路模型

上傳時間：2005/4/30 14:38:44

說明：本站會員正確輸入用戶名和密碼進行登錄系統(tǒng)后才能查看文章詳細內(nèi)容和參與評論。

－－本文摘自《今日電子》，已被閱讀2267次

免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內(nèi)容。

投稿熱線：0755-82905460　　郵箱：news@cps800.com

↑上一篇：無線信道中的單載波頻域均衡技術 ↓下一篇：X-10在智能家居應用中干擾問題的研究
打印本頁關閉本頁

關于本文的網(wǎng)友評論：

本文暫時還沒有網(wǎng)友發(fā)表評論信息！

我要發(fā)表評論：

驗證碼：

用戶名：密碼：

敬請注意：
·尊重網(wǎng)上道德，遵守中華人民共和國各項有關法律、法規(guī)
·遵守《全國人大常委會關于維護互聯(lián)網(wǎng)安全的決定》及《互聯(lián)網(wǎng)電子公告服務管理規(guī)定》
·承擔一切因您的行為而直接或間接導致的民事或刑事法律責任
·電源世界網(wǎng)網(wǎng)站管理人員有權(quán)保留或刪除留言中的任意內(nèi)容
·您在本網(wǎng)站相關欄目發(fā)表的評論信息，本網(wǎng)站有權(quán)在網(wǎng)站內(nèi)轉(zhuǎn)載或引用
·不要重復發(fā)布評論信息，評論內(nèi)容不能超過200個字符
·參與本評論即表明您已經(jīng)閱讀并接受上述條款