IGBT的并聯(lián)
作者：Arendt Wintrich 上傳時間：2007/5/28 15:27:59
摘要：在需要對大電流或大輸出功率加以控制的電路中，常常采用并聯(lián)。晶體管模塊發(fā)明至今的近20年里，賽米控一直專注于研究面向大功率應(yīng)用的并行電路方案。目前有兩種不同層次的方案，分別是模塊內(nèi)的芯片級并聯(lián)和變頻器一相中的模塊級并聯(lián)。
說明：本站會員正確輸入用戶名和密碼進(jìn)行登錄系統(tǒng)后才能查看文章詳細(xì)內(nèi)容和參與評論。
－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀4095次
免責(zé)聲明：本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
：0755-82905460 郵箱 
：關(guān)于本文的網(wǎng)友評論：
本文暫時還沒有網(wǎng)友發(fā)表評論信息！
文章檢索