半導體靜電放電發生器(器件敏感度 ESD-606A)專門為半導體器件抗靜電測試(HBM人體模式和MM機械模式）而設計，通過阻容套件的改變來滿足標準　MIL-STD-883D METHOD3015.7、EIAJED-4701 ConditionB 和 EIAJED-4701 ConditionA 的測試要求。人性化設計、使用方便。

詳情請登陸網站查詢: http://www.sztest.cebiz.cn
咨詢熱線:13584400695/0512-66389985
項　目　　　　 MIL-STD-883D/METHOD3015.7 /IEC747-1 EIAJED-4701
輸出　　　　　　　　　　電壓0—8kV
輸出　　　　　　　　　　電壓極性正/負
放電電容　　　　　　100pF±5%/200pF±5%
放電電阻　　　　　　　 1.5kΩ/0 Ω
工作形式　　　　　　　 單次/計數
放電次數設定　　　　　　1～9999
放電間隔　　　　　　　 0.1～9.9s