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MKP型緩沖保護(hù)電路電容器應(yīng)用于脈沖線路,使用雙面金屬化電極,強化噴金接觸和內(nèi)部串聯(lián)連接結(jié)構(gòu).

·電容器干式技術(shù)
·脈沖保護(hù)結(jié)構(gòu)
·具有自愈性能
·使用內(nèi)部串聯(lián)聯(lián)接
·極低損耗因素和等效串聯(lián)電阻
·極高的額定電流承載能力
·極高的DV/DT值
·溫度變化對容量影響小


典型應(yīng)用

·應(yīng)用于要求非常高可靠性能的高脈沖和高頻率電路
·應(yīng)用于IGBT模塊電路
·功率半導(dǎo)體能量轉(zhuǎn)換電路

結(jié)構(gòu)

·介質(zhì)材料: 聚丙烯(PP)膜
·電容器電極: 雙面金屬化塑料薄膜

封裝

·密封,阻燃工程塑膠外殼,阻燃環(huán)氧樹酯填充

引出端

·鍍錫銅片(N型/ L型端子)
·鍍錫銅線(Ф0.8~1.5)

包裝

·為了運輸安全,采用紙箱包裝.

安裝推薦

·在組裝和使用本緩沖電容器時,應(yīng)避免過多的機械扭傷如擠壓或撞擊,震動在電容器上.
·當(dāng)安裝銅片,螺桿的扭矩最大值為5Nm.


MKP -BN/BL IGBT 緩沖電容器技術(shù)規(guī)范
額定電壓(Un / URMS)
VDC 630 850 1000 1200 1600 2000
VAC 275 450 500 550 600 750


額定電容量(Cn)
0.10μF to 4.7 μF

容量偏差
J(+/-5%) 或 K(+/- 10%), @ 1kHz, +25°C

工作溫度范圍
-40 ℃ ~ +85 ℃

損耗因子(DF)
Cn≤1μF: ≤0.04%; Cn>1μF: ≤0.06%, @ 1kHz, +25°C

絕緣電阻(IR)
IR >30,000MΩ x μF (或不少于 30,000MΩ)
@+25°C(<70% RH) 測試電壓100VDC,保持時間1分鐘.

最大電壓上升速率 (dv/dt)
參考技術(shù)數(shù)據(jù)表 +25℃

最大峰值電流 - IPEAK
(不可重復(fù)的)

IPEAK =C×dv/dt

最大額定電流.(In)
參考技術(shù)數(shù)據(jù)表 @100KHZ, +70℃

最大等效串聯(lián)電阻(ESR)
參考技術(shù)數(shù)據(jù)表 +25℃

介質(zhì)電壓強度
引出電極間施加200% 的VDC額定電壓, 10 sec.+ 25°C.
引出電極與外殼之間施加3KVAC 50/60Hz, 2 sec.

容量漂移
<1.0% 在40°C 下, 時間兩年.

溫度系數(shù)
-200ppm/°C +/- 100ppm/°C

預(yù)期壽命
≥ 30,000 小時 @VAC at 70°C

失效概率
300/10億次

容量變化
(典型值) -5% ≥100,000小時 @WVDC at +70°C

介質(zhì)材料
聚丙烯薄膜-真空蒸鍍金屬層電極

結(jié)構(gòu)
雙面金屬化薄膜,內(nèi)串結(jié)構(gòu)

引出端
銅鍍錫 N 或 L型引出端,鍍錫銅線(Ф0.8~1.5)

密封
阻燃塑膠外殼 (UL 94V-0)和阻燃環(huán)氧樹酯填充 (UL 94V-0)