2007年3月20日，IXYS公司正式推出低電壓大電流采用絕緣封裝的MOSFET，電壓從55V到100V，有極低損耗和極低的Rds(on)，這是IXYS公司不斷豐富的針對低電壓，大電流功率變換的應用的產品之一。

    新的大電流MOSFET采用了IXYS專利的ISOPLUS封裝工藝！這種ISOPLUS i5-Pak封裝的 大電流MOSFET特點是導通損耗和開關損耗極低，有硬開關需要的雪崩額定值。這一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封裝的MOSFET集成了兩個大電流MOSFET芯片，是高可靠性，高大電流處理能力的絕緣封裝的產品。傳統的分立器件的封裝的電流處力能力基本上都是局限在75A以下，這大大低于其內部的晶片的電流處力能力。而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封裝就是為克服這一難點設計的，它結合了非常好的絕緣，散熱能力和高功率循環能力等優點。同時可以靈活地把不同拓樸結構封裝于其中。以這系列的大電流MOSFET為例，該產品有5個管腳。集成了并聯的兩個MOSFET，以兩個內部相聯的管腳作輸出，使該封裝的電流處理能力高達150A，大大超出傳統封裝電流處理能力的極限！

    所有IXYS的ISOPLUS封裝均采用直接銅焊（DCB）技術作內部絕緣(該技術一般只應用于功率模塊)，并且已取得UL認證。其中：IXTL2X240N055T，是55V的，Rds(on)僅0.0044歐姆，Rth(jc)僅1.0 k/w  ，IXTL2X18N10T 100V Rds(on)僅0.0074歐姆，Rth(jc)僅1.0 k/w,這些產品能為電動汽車， 電動叉車， 電動摩托車，高爾夫球車等高功率，低電壓的應用提供獨特的高性價比的器件方案。