飛兆半導體新型1200V IGBT模塊

   飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出兩種新型1200V IGBT模塊 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120，電流額定值分別為50A和75A，具有兼顧地優化的導通損耗(VCE(sat))與關斷損耗(Eoff)，提供非常低的總體功率損耗，適用范圍涵蓋焊接設備、不間斷電源 (UPS)，以及工作頻率在10kHz-30kHz的普通逆變器。與使用非穿通型 (NPT) 技術的同類元件相比，飛兆半導體的FMG2G75US120可減少功率損耗達20%。(在CO2 焊接應用中的測試取得良好效果：20kHz 開關頻率；380V 3相輸入；300A輸出；全負載條件下峰值電流為40A；及全負載條件下最大占空比為20%。為了在目標工業應用中達到高可靠性要求，飛兆半導體的新型1200V IGBT 功率模塊還具有極低的VCE(sat) 溫度變化偏差。額定值為75A的FMG2G75US120在25 至125°C溫度范圍內的最大偏差值僅為0.1V。兩款1200V器件同時備有全面的10微秒短路耐受時間和矩形反偏壓安全工作區域 (RBSOA)，進一步提升系統的穩定性。

    新推出的1200V IGBT模塊豐富了飛兆半導體不斷擴展的IGBT模塊產品系列，包括市場唯一的600V/300A和 400A低飽和IGBT模塊，專為AC/DC電弧焊接設備的次級而設計，以及600V/50~400A標準IGBT模塊。

    FMG2G50US120和FMG2G75US120采用2-PAK模塊封裝，通過了UL認證。1200V IGBT模塊的推出擴大了飛兆半導體針對工業應用的產品種類，包括用于AC/DC轉換、DC/AC轉換、機動和速度控制、絕緣、數據捕捉、指示器和顯示器，以及DC/DC轉換各種器件。

    以訂購 100個計，FMG2G50US120每個57.45美元，FMG2G75US120每個67.30 美元，收到訂單后12周內交貨。

查詢更多信息或價格詳情，請聯絡飛兆半導體深圳辦事處，電話：0755-82863780 或訪問公司網站：www.fairchildsemi.com。