MKP型緩沖保護(hù)電路電容器應(yīng)用于脈沖線路,使用雙面金屬化電極,強(qiáng)化噴金接觸和內(nèi)部串聯(lián)連接結(jié)構(gòu).

*脈沖保護(hù)結(jié)構(gòu)
*具有自愈性能
*使用內(nèi)部串聯(lián)連接
*極低損耗因素和等效串聯(lián)電阻
*極高的額定電流承載能力
*極高DV/DT值
*溫度變化對(duì)容量影響小
*RoHS 2002/95/EC標(biāo)準(zhǔn)


典型應(yīng)用

·應(yīng)用于要求非常高可靠性能的高脈沖和高頻率電路
·應(yīng)用于IGBT模塊電路
·功率半導(dǎo)體能量轉(zhuǎn)換電路

結(jié)構(gòu)

·介質(zhì)材料: 聚丙烯(PP)膜
·電容器電極: 雙面金屬化塑料薄膜

封裝

·密封,阻燃膠帶(UL510),阻燃環(huán)氧樹(shù)脂填充

引出端

·鍍錫銅線或銅片

包裝

·為了運(yùn)輸安全,采用紙箱包裝.

安裝推薦

·在組裝和使用本緩沖電容器時(shí),應(yīng)避免過(guò)多的機(jī)械扭傷如擠壓或撞擊,震動(dòng)在電容器上.
·當(dāng)安裝銅片,螺桿的扭矩最大值為5Nm.


MKP-IGBT-I 緩沖電容器技術(shù)規(guī)范

額定電壓(Un / URMS)
VDC 630 850 1000 1200 1600 2000
VAC 275 450 500 550 600 750

額定電容量(Cn)
參考規(guī)格數(shù)據(jù)表(測(cè)試頻率1KHz,環(huán)境溫度+25°)

容量偏差
J(+/-5%) 或 K(+/- 10%), @ 1kHz, +25°C
其它偏差范圍可根據(jù)客戶要求而定

工作溫度范圍
-40 ℃ ~ +85 ℃ 最大允許環(huán)境溫度+70°

損耗因子(DF)
DF≤0.06%, @ 1kHz, +25°C

絕緣電阻(IR)
IR >30,000MΩ x μF (或不少于 30,000MΩ)
@+25°C+/-5%(<70% RH) 測(cè)試電壓100VDC,充電時(shí)間1分鐘.

最大電壓上升速率 (dv/dt)
參考技術(shù)數(shù)據(jù)表 +25℃

最大峰值電流 - IPEAK
(不可重復(fù))
IPEAK =C*DV/DT

最大額定電流.(In)
參考技術(shù)數(shù)據(jù)表 @100KHZ, +70℃

最大等效串聯(lián)電阻(ESR)
參考技術(shù)數(shù)據(jù)表 +25℃

介質(zhì)電壓強(qiáng)度
引出電極與外殼之間施加3KVAC 50/60Hz,2sec
引出電極之間施加160%的VDC額定電壓,10sec,25°

容量漂移
<1.0% @40°,兩年

溫度系數(shù)
-200ppm/°C +/-100ppm°C

預(yù)期壽命
≥ 30,000 小時(shí) @VAC at 70°C
≥ 100,000 小時(shí) @In at 70°C

容量變化
典型值:-5%≥100000小時(shí)@WVDC@+70°C

介質(zhì)材料
聚丙烯薄膜-真空蒸鍍金屬層電極

結(jié)構(gòu)
雙面金屬化薄膜,內(nèi)串結(jié)構(gòu)

引出端
鍍錫銅片,鍍錫銅線

環(huán)保要求
Rohs 2002/95/EC